[发明专利]横向扩散金属氧化物晶体管

说明书

技术领域

本发明涉及一种金属氧化物晶体管(Metal Oxide Semiconductor，MOS)，尤其涉及一种横向扩散金属氧化物晶体管(Lateral DiffusedMOS，LDMOS)。

背景技术

随着科技的发展，电子产品的种类越来越多，电子产品中的集成电路的集成程度也越来越高。而高压电子元件，如横向扩散金属氧化物晶体管的应用也越来越广，其可应用在电源，电源管理器，通讯，汽车及工业控制等等。普通的横向扩散金属氧化物晶体管可参阅IEEE的“Proceedings of 2004 International Symposium on PowerSemiconductor Devices&ICs，Kitakyushu”上发表的论文“Field-plateEffects on the Breakdown Voltage of an Integrated High-voltageLDMOS Transistor”。

目前，静电释放(E1ectrostatic Discharge，ESD)现象对集成电路的可靠性构成了极大的威胁。一般的消费性电子产品要求在人体放电模式(Human-Body Model，HBM)下能承受的静电释放电压大于2KV，在机械放电模式(Machine Model)下能承受的静电释放电压大于200V。而普通的横向扩散金属氧化物晶体管无法承受如此大的静电释放电压，其很容易被人体或机械所带有的静电烧毁。

发明内容

下面将以实施例说明一种横向扩散金属氧化物晶体管，该横向扩散金属氧化物晶体管具有良好的抗静电能力。

一种横向扩散金属氧化物晶体管，其包括一第一类型衬底，一设置在该第一类型衬底上的栅氧化物，一设置在该栅氧化物上的晶栅，一对该第一类型衬底进行部分掺杂从而形成的第二类型轻掺杂区域以作为阱区，一对该第二类型轻掺杂区域进行部分掺杂从而形成的第一类型高掺杂区域以作为基区，一对该第一类型高掺杂区域进行部分掺杂从而形成的第二类型高掺杂源极区域，一对该第二类型轻掺杂区域进行部分掺杂从而形成的第二类型高掺杂漏极区域，以及一对该第一类型高掺杂区域进行部分掺杂从而形成的第一类型高掺杂衬底电极区域，该第二类型高掺杂源极区域与该第二类型高掺杂漏极区域分别形成在该晶栅的两侧，该第一类型高掺杂衬底电极区域靠近该第二类型高掺杂源极区域形成，且该第一类型高掺杂区域及该第二类型轻掺杂区域分别具有一部分直接位于该晶栅之下以隔开该第二类型高掺杂源极区域与该第二类型高掺杂漏极区域，该横向扩散金属氧化物晶体管进一步包括设置在该第二类型高掺杂源极区域之下的一第一掺杂区域，该第一掺杂区域为第一类型掺杂区域，且该第一掺杂区域与该第一类型高掺杂衬底电极区域相隔。

相对于现有技术，所述横向扩散金属氧化物晶体管利用设置在第一类型高掺杂区域与第二类型高掺杂源极区域间的第一掺杂区域可以调整该横向扩散金属氧化物晶体管在静态放电模式下的电流电压特征，使其获得良好的电流电压特性，增强了该横向扩散金属氧化物晶体管的抗静电能力。

附图说明

图1是本发明第一实施例所提供的一种横向扩散金属氧化物晶体管的剖示图。

图2是本发明第二实施例所提供的一种横向扩散金属氧化物晶体管的剖示图。

图3是本发明第三实施例所提供的一种横向扩散金属氧化物晶体管的剖示图。

图4是本发明第四实施例所提供的一种横向扩散金属氧化物晶体管的剖示图。

图5是本发明第五实施例所提供的一种横向扩散金属氧化物晶体管的剖示图。

具体实施方式

下面结合附图将对本发明实施例作进一步的详细说明。