[发明专利]横向扩散金属氧化物晶体管

权利要求书

1.一种横向扩散金属氧化物晶体管，其包括一第一类型衬底，一设置在该第一类型衬底上的栅氧化物，一设置在该栅氧化物上的晶栅，一对该第一类型衬底进行部分掺杂从而形成的第二类型轻掺杂区域以作为阱区，一对该第二类型轻掺杂区域进行部分掺杂从而形成的第一类型高掺杂区域以作为基区，一对该第一类型高掺杂区域进行部分掺杂从而形成的第二类型高掺杂源极区域，一对该第二类型轻掺杂区域进行部分掺杂从而形成的第二类型高掺杂漏极区域，以及一对该第一类型高掺杂区域进行部分掺杂从而形成的第一类型高掺杂衬底电极区域，该第二类型高掺杂源极区域与该第二类型高掺杂漏极区域分别形成在该晶栅的两侧，该第一类型高掺杂衬底电极区域靠近该第二类型高掺杂源极区域形成，且该第一类型高掺杂区域及该第二类型轻掺杂区域分别具有一部分直接位于该晶栅之下以隔开该第二类型高掺杂源极区域与该第二类型高掺杂漏极区域，其特征在于，该横向扩散金属氧化物晶体管进一步包括设置在该第二类型高掺杂源极区域之下的一第一掺杂区域，该第一掺杂区域为第一类型掺杂区域，且该第一掺杂区域与该第一类型高掺杂衬底电极区域相隔。

2.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物晶体管，其特征在于，该横向扩散金属氧化物晶体管还进一步包括设置在该第一类型高掺杂衬底电极区域之下的一第二掺杂区域，该第二掺杂区域为第一类型掺杂区域，且该第一掺杂区域与该第二掺杂区域间具有一定的间隙。

3.如权利要求2所述的横向扩散金属氧化物晶体管，其特征在于，该第二掺杂区域的横向长度小于该第一类型高掺杂衬底电极区域的横向长度以使该第一类型高掺杂衬底电极区域与该第一类型高掺杂区域相互连接。

4.如权利要求2所述的横向扩散金属氧化物晶体管，其特征在于，该第二掺杂区域的横向长度大于该第一类型高掺杂衬底电极区域的横向长度以将该第一类型高掺杂衬底电极区域与该第一类型高掺杂区域相互隔离。

5.如权利要求2所述的横向扩散金属氧化物晶体管，其特征在于，该第一掺杂区域向第二类型高掺杂漏极区域延伸以覆盖该第二类型高掺杂源极区域的靠近该第二类型高掺杂漏极区域的边缘部分。

6.如权利要求1至5中任意一项所述的横向扩散金属氧化物晶体管，其特征在于，该第一掺杂区域的掺杂浓度高于该第一类型高掺杂区域。

7.如权利要求2至5中任意一项所述的横向扩散金属氧化物晶体管，其特征在于，该第二掺杂区域的掺杂浓度高于该第一类型高掺杂区域。

8.如权利要求7所述的横向扩散金属氧化物晶体管，其特征在于，该第二掺杂区域的掺杂浓度大于该第一类型高掺杂区域的掺杂浓度且小于该第一类型高掺杂衬底电极区域的掺杂浓度。

9.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物晶体管，其特征在于，该横向扩散金属氧化物晶体管进一步包括一对该第二类型轻掺杂区域进行部分掺杂从而形成的第二类型掺杂区域，该第二类型掺杂区域围绕该第二类型高掺杂漏极区域。

10.如权利要求9所述的横向扩散金属氧化物晶体管，其特征在于，该第二类型掺杂区域的掺杂浓度大于该第二类型轻掺杂区域的掺杂浓度且小于该第二类型高掺杂漏极区域的掺杂浓度。

11.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物晶体管，其特征在于，该横向扩散金属氧化物晶体管进一步包括一靠近该第二类型高掺杂漏极区域设置的第一场氧化层，该第一场氧化层将该第二类型高掺杂漏极区域与另一横向扩散金属氧化物晶体管的第一类型高掺杂衬底电极区域及第二类型高掺杂源极区域相隔开。

12.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物晶体管，其特征在于，该横向扩散金属氧化物晶体管进一步包括一靠近该第一类型高掺杂衬底电极区域及该第二类型高掺杂源极区域设置的第二场氧化层，该第二场氧化层将该第一类型高掺杂衬底电极区域及该第二类型高掺杂源极区域与另一横向扩散金属氧化物晶体管的第二类型高掺杂漏极区域相隔开。

13.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物晶体管，其特征在于，该横向扩散金属氧化物晶体管进一步包括一设置于该晶栅与该第二类型高掺杂漏极区域之间的第三场氧化层以减少通过该栅氧化物的垂直电场强度。