[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200710162689.8 | 申请日： | 2007-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101165896A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 佐藤好弘 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L23/522;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/49;H01L21/822;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在半导体基板(10)上，形成具有比有源区域(11)高的上面的元件分离区域(12)之后，在有源区域(11)及元件分离区域(12)之上，形成栅极布线形成用膜(14)及保护膜形成用膜(15)。然后，研磨保护膜形成用膜(15)，使其平坦化。接着，进行布图，从而在形成栅电极部(14a)、栅极布线部(14b)及保护膜(15a)之后，形成侧壁(17)。提供能够更切实地将栅电极全硅化物化的半导体装置及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：半导体基板、元件分离区域，该元件分离区域形成在所述半导体基板上，其上面的位置比所述半导体基板的上面更高；栅极布线，该栅极布线跨越形成在从被所述元件分离区域包围的由所述半导体基板构成的有源区域的上方起至所述元件分离区域之上，被全硅化物化；侧壁，该侧壁覆盖所述栅极布线的侧面，具有绝缘性，所述侧壁中配置在所述元件分离区域之上的部分的垂直方向的长度，与所述侧壁中配置在所述有源区域之上的部分的垂直方向的长度不同。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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