[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体基板、

元件分离区域，该元件分离区域形成在所述半导体基板上，其上面的位置比所述半导体基板的上面更高；

栅极布线，该栅极布线跨越形成在从被所述元件分离区域包围的由所述半导体基板构成的有源区域的上方起至所述元件分离区域之上，被全硅化物化；

侧壁，该侧壁覆盖所述栅极布线的侧面，具有绝缘性，

所述侧壁中配置在所述元件分离区域之上的部分的垂直方向的长度，与所述侧壁中配置在所述有源区域之上的部分的垂直方向的长度不同。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：在所述有源区域与所述元件分离区域之间，形成阶差；

所述侧壁中配置在所述元件分离区域之上的部分与所述侧壁中配置在所述有源区域之上的部分之间的垂直方向的长度之差，与所述阶差实质上相同。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：所述侧壁中配置在所述元件分离区域之上的部分的上端，与所述侧壁中配置在所述有源区域之上的部分的上端，位于相同的高度。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：所述栅极布线中配置在所述元件分离区域之上的部分，与所述栅极布线中配置在所述有源区域之上的部分，实质上为同一成分。

5.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：所述栅极布线中配置在所述有源区域之上的部分，成为栅电极部；

在所述栅电极部与所述有源区域之间，介有栅极绝缘膜。

6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：在所述栅电极部的两侧配置的所述有源区域中，形成有杂质扩散层。

7.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：还具备：在所述侧壁上形成的绝缘膜；和

覆盖所述绝缘膜及所述栅极布线的上方的层间绝缘膜。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：在所述绝缘膜与所述层间绝缘膜之间，介有应力产生膜。

9.一种半导体装置的制造方法，具备下列工序：

在半导体基板上，形成在比所述半导体基板高的位置具有上面的元件分离区域的工序a；

在所述工序a之后，在所述半导体基板上，依次形成栅极绝缘膜形成用膜、栅极布线形成用膜及保护膜形成用膜的工序b；

采用化学机械研磨，研磨所述保护膜形成用膜，从而减少所述保护膜形成用膜表面的阶差的工序c；

在所述工序c之后，在所述栅极绝缘膜形成用膜、所述栅极布线形成用膜及所述保护膜形成用膜上布图，从而形成栅极绝缘膜、栅极布线及保护膜的工序d；

在所述栅极绝缘膜、所述栅极布线及所述保护膜的侧面上，形成侧壁的工序e；

在所述工序e之后，在所述半导体基板上，形成覆盖所述保护膜及所述侧壁的层间绝缘膜的工序f；

除去所述层间绝缘膜，直到所述保护膜露出的高度为止的工序g；

在所述工序g之后，除去所述保护膜，使所述栅极布线露出的工序h；

将所述栅极布线全硅化物化的工序i。

10.如权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在所述工序h中，除去所述保护膜的工序，通过蚀刻进行。

11.如权利要求9或10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还具备：

在所述工序d之后所述工序e之前，将所述栅极布线及所述保护膜作为掩模，向由被所述元件分离区域包围的所述半导体基板构成的有源区域注入离子，从而在所述有源区域中的所述栅极布线的两侧的区域，形成第1源漏区域的工序j；和

在所述工序e之后所述工序f之前，将所述栅极布线、所述保护膜及所述侧壁作为掩模，向所述有源区域注入离子，从而在所述有源区域中的所述侧壁的两侧的区域，形成第2源漏区域的工序k。

12.如权利要求9或10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在所述工序b中，以厚度大于所述半导体基板与所述元件分离区域之间的阶差的高度的膜厚，形成所述保护膜形成用膜。

13.如权利要求9或10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述栅极布线，是多晶硅膜或非晶形硅膜。