[发明专利]春石斛工厂化栽培方法

摘要

春石斛工厂化栽培方法，属于花卉栽培技术领域。其特征在于包括以下步骤：幼苗经大棚练苗后移栽至128孔穴盘；栽培6－8个月后，将植株从128孔中移栽至8cm营养钵中栽培，栽培阶段光照控制在3.5万Lux以下，温度控制在18－28℃；栽培第一年当根系长至钵壁时，每株施入15粒魔肥；栽培第二年春季施入菜籽饼肥，量为0.5cm³每株；在8cm营养钵栽培阶段的第三年进行催花处理：开花株上山低温处理，开花株下山加温催花。上述春石斛工厂化栽培方法，能适应我国气候条件，解决了春石斛工厂化栽培的技术问题，且工艺简单，生产成本低，得到的春石斛一致性好，产品品质高，具有良好的观赏价值和广阔的市场前景。

主权项

1.春石斛工厂化栽培方法，其特征在于包括以下步骤：1)选择苗高3-5cm、有5片以上叶片和4-6条根的春石斛幼苗，经大棚练苗后移栽至128孔穴盘，移栽前期空气湿度控制在90％以上，栽培阶段光照控制在1万Lux以下，温度控制在18-28℃，每隔20天施用3000-5000倍稀释的花多多肥料一次，至止叶长出；2)栽培6-8个月后，将植株高度5cm以上、根系发达盘结完整的植株从128孔中移栽至8cm营养钵中栽培，栽培阶段光照控制在3.5万Lux以下，温度控制在18-28℃；栽培第一年当根系长至钵壁时，每株施入15粒魔肥；栽培第二年春季施入菜籽饼肥，量为0.5cm3每株；3)在8cm营养钵栽培阶段的第三年进行催花处理：a.开花株上山低温处理：止叶出现一月，茎杆饱满成熟后，将开花株搬入山上的大棚中，在10-15℃夜间温度超过1小时、白天最高温度不高于32℃的条件下累积处理30-45天，光照控制在4万Lux以下，并保持水苔湿润；b.开花株下山加温催花：花芽呈半粒米大后，搬至山下温室，适当拉开植株间的距离，植株的短叶面朝南，光照控制在3万Lux以下，温度控制在18-28℃，空气湿度大于70％，增施稀释1000-2000倍的KH2PO4叶肥1-2次；上述两次移栽均采用特级水苔包裹植株的整个根系部分。