[发明专利]春石斛工厂化栽培方法

权利要求书

1.春石斛工厂化栽培方法，其特征在于包括以下步骤：

1)选择苗高3-5cm、有5片以上叶片和4-6条根的春石斛幼苗，经大棚练苗后移栽至128孔穴盘，移栽前期空气湿度控制在90％以上，栽培阶段光照控制在1万Lux以下，温度控制在18-28℃，每隔20天施用3000-5000倍稀释的花多多肥料一次，至止叶长出；

2)栽培6-8个月后，将植株高度5cm以上、根系发达盘结完整的植株从128孔中移栽至8cm营养钵中栽培，栽培阶段光照控制在3.5万Lux以下，温度控制在18-28℃；栽培第一年当根系长至钵壁时，每株施入15粒魔肥；栽培第二年春季施入菜籽饼肥，量为0.5cm³每株；

3)在8cm营养钵栽培阶段的第三年进行催花处理：

a.开花株上山低温处理：止叶出现一月，茎杆饱满成熟后，将开花株搬入山上的大棚中，在10-15℃夜间温度超过1小时、白天最高温度不高于32℃的条件下累积处理30-45天，光照控制在4万Lux以下，并保持水苔湿润；

b.开花株下山加温催花：花芽呈半粒米大后，搬至山下温室，适当拉开植株间的距离，植株的短叶面朝南，光照控制在3万Lux以下，温度控制在18-28℃，空气湿度大于70％，增施稀释1000-2000倍的KH₂PO₄叶肥1-2次；

上述两次移栽均采用特级水苔包裹植株的整个根系部分。

2.如权利要求1所述的春石斛工厂化栽培方法，其特征在于植株从128孔中移栽至8cm营养钵中的时间为3-5月份。

3.如权利要求1所述的春石斛工厂化栽培方法，其特征在于8cm营养钵栽培第一年，前期以快速浇水的方式提供水分，半月后采用干透湿透的原则浇水，空气湿度控制在70±5％。

4.如权利要求1所述的春石斛工厂化栽培方法，其特征在于8cm营养钵栽培第一年，前1-2个月光照控制在2万Lux以下，后期控制在3万Lux以下，温度控制在夜温18-20℃，昼温26-28℃。

5.如权利要求1所述的春石斛工厂化栽培方法，其特征在于8cm营养钵栽培第一年的6-8月，等根系长至钵壁时，每株施入15粒魔肥。

6.如权利要求1所述的春石斛工厂化栽培方法，其特征在于8cm营养钵栽培第二年，新芽长出后，每钵内留一最健壮的芽，新芽生长期大量供应水，至止叶长出后，湿度控制在70±5％。

7.如权利要求1所述的春石斛工厂化栽培方法，其特征在于8cm营养钵栽培第二年，光照控制在3.5万Lux以下，至止叶长出后温度控制在夜温18-20℃，昼温26-28℃。

8.如权利要求1所述的春石斛工厂化栽培方法，其特征在于8cm营养钵栽培第二年的3-5月施入菜籽饼肥，量为0.5cm³每株。

9.如权利要求1所述的春石斛工厂化栽培方法，其特征在于经大棚练苗后的幼苗用水冲洗根部后用0.1-0.2％高锰酸钾溶液浸泡2-3分钟，捞起晾干，采用纯水苔作为培养基质，单株移栽到128孔穴盘中。