[发明专利]春石斛工厂化栽培方法

说明书

技术领域

本发明属于花卉栽培技术领域，具体为春石斛工厂化栽培方法。

背景技术

春石斛(Dendrobium)，兰科(Orchidaceae)石斛属，多年生草本，附生性，茎丛生，有节，黄绿色，叶近革质，卵状披针形，长9-12cm，总状花序。我国有76种原生种，主要分布于云南、广东、广西、台湾、海南等地。日本、泰国、新加坡等国家石斛兰产业化规模已非常成熟，而且育种工作突出，培育出丰富的杂交品种，花色有红色、白色、黄色及各种复合色，是当前国内外市场盆栽欣赏和切花生产的高档花卉。目前国内春石斛工厂化栽培，催化技术难以掌握，且生产成本高、高品质花卉率低，使春石斛在国内市场的开拓面临新的技术问题。

发明内容

针对现有技术中存在的上述问题，本发明的目的在于设计提供一种春石斛工厂化栽培方法的技术方案，其工艺简单，成本低。

所述的春石斛工厂化栽培方法，其特征在于包括以下步骤：

1)选择苗高3-5cm、有5片以上叶片和4-6条根的春石斛幼苗，经大棚练苗后移栽至128孔穴盘，移栽前期空气湿度控制在90％以上，栽培阶段光照控制在1万Lux以下，温度控制在18-28℃，每隔20天施用3000-5000倍稀释的花多多肥料一次，至止叶长出；

2)栽培6-8个月后，将植株高度5cm以上、根系发达盘结完整的植株从128孔中移栽至8cm营养钵中栽培，栽培阶段光照控制在3.5万Lux以下，温度控制在18-28℃；栽培第一年当根系长至钵壁时，每株施入15粒魔肥；栽培第二年春季施入菜籽饼肥，量为0.5cm³每株；

3)在8cm营养钵栽培阶段的第三年进行催花处理：

a.开花株上山低温处理：止叶出现一月，茎杆饱满成熟后，将开花株搬入山上的大棚中，在10-15℃夜间温度超过1小时、白天最高温度不高于32℃的条件下累积处理30-45天，光照控制在4万Lux以下，并保持水苔湿润；

b.开花株下山加温催花：花芽呈半粒米大后，搬至山下温室，适当拉开植株间的距离，植株的短叶面朝南，光照控制在3万Lux以下，温度控制在18-28℃，空气湿度大于70％，增施稀释1000-2000倍的KH₂PO₄叶肥1-2次；

上述两次移栽均采用特级水苔包裹植株的整个根系部分。

所述的春石斛工厂化栽培方法，其特征在于植株从128孔中移栽至8cm营养钵中的时间为3-5月份。

所述的春石斛工厂化栽培方法，其特征在于8cm营养钵栽培第一年，前期以快速浇水的方式提供水分，半月后采用干透湿透的原则浇水，空气湿度控制在70±5％。

所述的春石斛工厂化栽培方法，其特征在于8cm营养钵栽培第一年，前1-2个月光照控制在2万Lux以下，后期控制在3万Lux以下，温度控制在夜温18-20℃，昼温26-28℃。

所述的春石斛工厂化栽培方法，其特征在于8cm营养钵栽培第一年的6-8月，等根系长至钵壁时，每株施入15粒魔肥。

所述的春石斛工厂化栽培方法，其特征在于8cm营养钵栽培第二年，新芽长出后，每钵内留一最健壮的芽，新芽生长期大量供应水，至止叶长出后，湿度控制在70±5％。

所述的春石斛工厂化栽培方法，其特征在于8cm营养钵栽培第二年，光照控制在3.5万Lux以下，至止叶长出后温度控制在夜温18-20℃，昼温26-28℃。

所述的春石斛工厂化栽培方法，其特征在于8cm营养钵栽培第二年的3-5月施入菜籽饼肥，量为0.5cm³每株。

所述的春石斛工厂化栽培方法，其特征在于经大棚练苗后的幼苗用水冲洗根部后用0.1-0.2％高锰酸钾溶液浸泡2-3分钟，捞起晾干，采用纯水苔作为培养基质，单株移栽到128孔穴盘中。

所述的花多多的N∶P∶K为20-20-20，可由美国Scotts公司购得；魔肥的N∶P∶K为6-40-6，可由台湾台合园艺企业股份有限公司购得；水苔可由西洋园艺资材(广州)有限公司购得。

上述春石斛工厂化栽培方法，能适应我国气候条件，解决了春石斛工厂化栽培的技术问题，且工艺简单，生产成本低，得到的春石斛一致性好，产品品质高，具有良好的观赏价值和广阔的市场前景。

本专利申请文件中涉及的含量除另有说明外，其余均为重量百分含量。

具体实施方式

春石斛工厂化栽培方法，其特征在于包括以下步骤：