[发明专利]电解电镀形成突起电极的半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 200710159698.1 | 申请日: | 2007-11-08 |
公开(公告)号: | CN101183668A | 公开(公告)日: | 2008-05-21 |
发明(设计)人: | 金子纪彦 | 申请(专利权)人: | 卡西欧计算机株式会社 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L21/60 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及用电解电镀形成突起电极的半导体装置及其制造方法,在称为具有突起电极的CSP的半导体装置的制造方法中,可以不需要干膜抗蚀剂的形成和剥离工序,并且通过电解电镀可以形成突起电极。在含有布线8的保护膜5的上面形成由聚酰亚胺类树脂等组成的保护膜9,该保护模9在与布线8的连接焊盘部相对应的部分具有开口部10。接着,形成底层金属层11。接着,通过将底层金属层11作为电镀电流路进行铜的电解电镀,在保护膜9的开口部内10中的布线8连接焊盘部上形成突起电极。此时,可以不需要干膜抗蚀剂的形成和剥离工序,并且通过电解电镀可以形成突起电极。 | ||
搜索关键词: | 电解 电镀 形成 突起 电极 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,具有:多个布线,设置在半导体基板上;保护膜,设置在含有上述布线的上述半导体基板上,在与上述布线的连接焊盘部相对应部分具有开口部;底层金属层,设置在上述保护膜的开口部内;以及突起电极,设置在上述保护膜的开口部内的底层金属层内。
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