[发明专利]电解电镀形成突起电极的半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

多个布线，设置在半导体基板上；

保护膜，设置在含有上述布线的上述半导体基板上，在与上述布线的连接焊盘部相对应部分具有开口部；

底层金属层，设置在上述保护膜的开口部内；以及

突起电极，设置在上述保护膜的开口部内的底层金属层内。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述底层金属层设置在上述保护膜的开口周边部，上述突起电极设置在上述保护膜的开口周边部的底层金属层上。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

在上述突起电极上设置锡球。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

上述突起电极由下部突起电极部和上部突起电极部组成，该下部突起电极部设置在上述保护膜的开口部内的上述布线的连接焊盘部上，该上部突起电极部与上述下部突起电极部连接并设置在上述下部突起电极部上及其周围的上述保护膜上。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

在上述突起电极的上部突起电极部的表面上设置锡球。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于：

在上述突起电极的上部突起电极部的上表面设置表面处理层。

7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

在半导体基板上形成多个布线的工序；

在含有上述布线的上述半导体基板上形成保护膜的工序，该保护膜在与上述布线连接焊盘部相对应的部分具有开口部；

在上述保护膜的开口部内形成底层金属层的工序；以及

在上述保护膜的开口部的底层金属层内通过电解电镀形成突起电极的工序。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

在上述保护膜的开口周边部形成底层金属层的工序；以及

在上述保护膜的开口周边部的底层金属层上通过电解电镀形成突起电极的工序。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

在上述突起电极上形成锡球的工序。

10.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

形成上述突起电极的工序是通过电解电镀在上述保护膜的开口部内的上述布线连接焊盘部上形成下部突起电极部，接着在上述下部突起电极部上及其周围的上述保护膜上形成上部突起电极部的工序。

11.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

在上述底层金属层的上面形成电镀抗蚀剂膜后，形成上述突起电极，该电镀抗蚀剂膜具有比保护膜的开口部更大的开口部。

12.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

在上述突起电极的上部突起电极部的表面形成锡球的工序。

13.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

形成上述突起电极的上部突起电极部后，在该上部突起电极部的上表面通过电解电镀形成锡层的工序。

14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

在形成上述锡层后，通过回流在上述突起电极的上部突起电极部的表面上形成由上述锡层构成的锡球的工序。

15.根据权利要求10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

形成上述突起电极的上部突起电极部后，在该上部突起电极部的上表面通过电解电镀形成表面处理层的工序。