[发明专利]电解电镀形成突起电极的半导体装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及用电解电镀形成突起电极的半导体装置及其制造方法。

背景技术

在现有的半导体装置中，称为CSP(chip size package)，例如在日本特开2006-229113号公报中所示，在半导体基板上设置的绝缘膜上设置布线，在布线的连接焊盘部上面设置柱状电极，在含有布线的绝缘膜的上面将密封膜和其上面的柱状电极的上面设置为构成一个面，在柱状电极的上面设置锡球。

但是，在上述现有的半导体装置的制造方法中，在布线的连接焊盘部上面形成柱状电极时，使用干膜抗蚀剂。但是，在剥离干膜抗蚀剂时，难以完全地除去，在下层布线间容易作为残渣残留。这样，如果有抗蚀剂残渣，就会有布线图案间的短路或绝缘不良等缺点的原因的问题。

发明内容

为了达到上述目的，本发明的特征在于，具有：多个布线，设置在半导体基板上；保护膜，设置在含有上述布线的上述半导体基板上，且在与上述布线的连接焊盘部相对应部分具有开口部；底层金属层，设置在上述保护膜的开口部内；突起电极，设置在上述保护膜的开口部内的底层金属层内。

另外，本发明的特征还在于，具有：在半导体基板上形成多个布线的工序；在含有上述布线的上述半导体基板上形成保护膜的工序，该保护膜在与上述布线的连接焊盘部相对应部分中具有开口部；在上述保护膜的开口部内形成底层金属层的工序；在上述保护膜的开口部的底层金属层内通过电解电镀形成突起电极的工序。

根据本发明，在与布线的连接焊盘部相对应的部分设置具有开口部的保护膜，由于在保护膜的开口部内设置底层金属层，所以可以不需要干膜抗蚀剂的形成和剥离工序，而且通过电解电镀可以形成突起电极。

附图说明

图1是作为该发明的第一实施例的半导体装置的剖面图。

图2是在图1所示的半导体装置的制造方法的一例子，最初准备的剖面图。

图3是接着图2的工序的剖面图。

图4是接着图3的工序的剖面图。

图5是接着图4的工序的剖面图。

图6是接着图5的工序的剖面图。

图7是接着图6的工序的剖面图。

图8是接着图7的工序的剖面图。

图9是接着图8的工序的剖面图。

图10是在图1所示的半导体装置的制造方法的其它例子，规定的工序的剖面图。

图11是接着图12的工序的剖面图。

图12是作为本发明的第二实施例的半导体装置的剖面图。

图13是作为本发明的第三实施例的半导体装置的剖面图。

图14是在图13所示的半导体装置的制造方法的一个例子，规定的工序的剖面图。

图15是接着图14工序的剖面图。

图16是作为本发明的第四实施例的半导体装置的剖面图。

具体实施方式

(第一实施例)

图1示出了作为本发明第一实施例的半导体装置的剖面图。该半导体装置称为CSP，具有硅基板(半导体基板)1。在硅基板1上面设置集成电路(图未示出)，在上面周边部将铝类金属等构成的多个连接焊盘2与集成电路连接设置。

除了连接焊盘2的中央部的硅基板1的上面设置氧化硅等构成的绝缘膜3，连接焊盘2的中央部通过在绝缘膜3上设置的开口部4露出。在绝缘膜3的上面设置由聚酰亚胺类树脂等构成的保护膜5。在与绝缘膜3的开口部4相对应部分的保护膜5中设置开口部6。

在保护膜5上面设置由铜等构成的底层金属层7。在底层金属层7的上面整体设置由铜构成的布线8。在含有底层金属层7的布线8的一端部通过绝缘膜3和保护膜5的开口部4、6与连接焊盘2相连接。在含有布线8的保护膜5的上面设置由聚酰亚胺类树脂等构成的保护膜9。在与布线8的连接焊盘部相对应部分中的保护膜9设置开口部10。

通过保护膜9的开口部10露出的布线8的连接焊盘部上面、保护膜9的开口部10的内壁面及其周围中的保护膜9的上面设置由铜等组成的底层金属层11。在底层金属层11的上面整体设置由铜构成的突起电极12。

此时，突起电极12由设置在保护膜9的开口部10内的下部突起电极部12a和在下部突起电极12a上面及其周围的保护膜9上设置的上部突起电极部12b组成。在突起电极12的上部突起电极部12b的上表面设置锡球13，该突起电极12的上部突起电极部12b的上面含有设置在保护膜9的上面的底层金属层11的端面。

(制造方法的一例子)