[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200710154192.1 | 申请日： | 2007-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101154606A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 山野孝治;荒井直 | 申请（专利权）人： | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件的制造方法，在平面图中所述半导体器件的尺寸与半导体芯片的尺寸大致相同，半导体芯片以倒装方式结合到配线图案上，本发明的目的是提供一种半导体器件的制造方法，该制造方法能够减少制造步骤的数量，以实现制造成本的最小化。形成绝缘树脂(13)以覆盖多个内部连接端子(12)、以及多个半导体芯片(11)的形成有所述内部连接端子的表面，然后在绝缘树脂(13)之上形成用于形成配线图案的金属层(33)，并且通过按压金属层(33)而使金属层(33)与多个内部连接端子(12)压力结合。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括：半导体基板，多个半导体芯片形成于其上；所述多个半导体芯片，其具有电极片；内部连接端子，其设置在所述电极片上；以及配线图案，其与所述内部连接端子连接，所述方法包括：绝缘树脂形成步骤，其用于形成绝缘树脂以覆盖所述内部连接端子、以及所述多个半导体芯片的设置有所述内部连接端子的表面；金属层形成步骤，其用于在所述绝缘树脂上形成金属层；压力结合步骤，其用于通过按压所述金属层而使所述金属层与所述内部连接端子压力结合；以及配线图案形成步骤，其用于在所述压力结合步骤之后通过蚀刻所述金属层而形成所述配线图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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