[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200710154192.1 | 申请日： | 2007-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101154606A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 山野孝治;荒井直 | 申请（专利权）人： | 新光电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括：
半导体基板，多个半导体芯片形成于其上；
所述多个半导体芯片，其具有电极片；
内部连接端子，其设置在所述电极片上；以及
配线图案，其与所述内部连接端子连接，
所述方法包括：
绝缘树脂形成步骤，其用于形成绝缘树脂以覆盖所述内部连接端子、以及所述多个半导体芯片的设置有所述内部连接端子的表面；
金属层形成步骤，其用于在所述绝缘树脂上形成金属层；
压力结合步骤，其用于通过按压所述金属层而使所述金属层与所述内部连接端子压力结合；以及
配线图案形成步骤，其用于在所述压力结合步骤之后通过蚀刻所述金属层而形成所述配线图案。
2.一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括：
半导体基板，多个半导体芯片形成于其上；
所述多个半导体芯片，其具有电极片；
内部连接端子，其设置在所述电极片上；以及
配线图案，其与所述内部连接端子连接，所述方法包括：
绝缘树脂形成步骤，其用于形成绝缘树脂以覆盖所述内部连接端子、以及所述多个半导体芯片的设置有所述内部连接端子的表面；
金属层层压步骤，其用于在所述绝缘树脂之上顺序层压第一金属层和第二金属层；
压力结合步骤，其用于通过按压所述第二金属层而使所述第一金属层与所述内部连接端子压力结合；
连接片形成步骤，其用于在所述压力结合步骤之后通过蚀刻所述第二金属层而形成连接片；以及
配线图案形成步骤，其用于通过蚀刻所述第一金属层而形成所述配线图案。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述第一金属层是蚀刻所述第二金属层时的阻蚀层。
4.一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括：
半导体基板，多个半导体芯片形成于其上；
所述多个半导体芯片，其具有电极片；
内部连接端子，其设置在所述电极片上；以及
配线图案，其与所述内部连接端子连接，
所述方法包括：
绝缘树脂形成步骤，其用于形成绝缘树脂以覆盖所述内部连接端子、以及所述多个半导体芯片的设置有所述内部连接端子的表面；
层层压步骤，其用于在所述绝缘树脂之上顺序层压第一金属层、第二金属层、以及用于保护所述第二金属层的保护层；
压力结合步骤，其用于在所述层层压步骤之后通过按压所述保护层而使所述第一金属层与所述内部连接端子压力结合；
保护层除去步骤，其用于在所述压力结合步骤之后除去所述保护层；
连接片形成步骤，其用于通过蚀刻所述第二金属层而形成连接片；以及
配线图案形成步骤，其用于通过蚀刻所述第一金属层而形成所述配线图案。
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述第一金属层是蚀刻所述第二金属层时的阻蚀层。
6.一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括：
半导体基板，多个半导体芯片形成于其上；
所述多个半导体芯片，其具有电极片；
内部连接端子，其设置在所述电极片上；以及
配线图案，其与所述内部连接端子连接，
所述方法包括：
绝缘树脂形成步骤，其用于形成绝缘树脂以覆盖所述内部连接端子、以及所述多个半导体芯片的设置有所述内部连接端子的表面；
金属层层压步骤，其用于在所述绝缘树脂之上顺序层压第一金属层、第二金属层以及第三金属层；
压力结合步骤，其用于通过按压所述第三金属层而使所述第一金属层与所述内部连接端子压力结合；
金属柱形成步骤，其用于在所述压力结合步骤之后通过蚀刻所述第三金属层而形成金属柱；
连接片形成步骤，其用于通过蚀刻所述第二金属层而形成连接片；以及
配线图案形成步骤，其用于通过蚀刻所述第一金属层而形成所述配线图案。
7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述第二金属层是蚀刻所述第三金属层时的阻蚀层。
8.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述第一金属层是蚀刻所述第二金属层时的阻蚀层。
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