[发明专利]制造槽栅型MOSFET器件的方法无效
| 申请号： | 200710153704.2 | 申请日： | 2007-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101211785A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 金希大 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 夏凯;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造槽栅型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的方法。根据一个实施例，可以在半导体衬底中形成沟槽。可以在沟槽的内壁上形成栅极氧化物层。可以在包括栅极氧化物层的半导体衬底上形成第一绝缘层。可以在沟槽中形成多晶硅。可以通过将第一绝缘层蚀刻至预定厚度，来从第一绝缘层形成第二绝缘层，以使第二绝缘层薄于第一绝缘层。可以在多晶硅和第二绝缘层上形成第三绝缘层。可以蚀刻第三绝缘层以在多晶硅的侧壁上形成隔离物。然后，可以利用隔离物作为蚀刻掩膜移除第二绝缘层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 槽栅型 mosfet 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造槽栅型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的方法，该方法包括：在半导体衬底中形成沟槽；在沟槽的内壁上形成栅极氧化物层；在露出沟槽的半导体衬底上形成第一绝缘层；在沟槽中形成多晶硅；移除第一绝缘层的一部分，从而形成厚度比第一绝缘层薄的第二绝缘层；在第二绝缘层和多晶硅上形成第三绝缘层；蚀刻第三绝缘层以在多晶硅的侧壁上形成隔离物；以及移除该第二绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
