[发明专利]制造槽栅型MOSFET器件的方法

权利要求书

1.一种制造槽栅型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的方法，该方法包括：

在半导体衬底中形成沟槽；

在沟槽的内壁上形成栅极氧化物层；

在露出沟槽的半导体衬底上形成第一绝缘层；

在沟槽中形成多晶硅；

移除第一绝缘层的一部分，从而形成厚度比第一绝缘层薄的第二绝缘层；

在第二绝缘层和多晶硅上形成第三绝缘层；

蚀刻第三绝缘层以在多晶硅的侧壁上形成隔离物；以及

移除该第二绝缘层。

2.如权利要求1的方法，其中在沟槽中形成多晶硅包括：

在半导体衬底上，包括在沟槽内，淀积多晶硅；以及

将多晶硅从第一绝缘层的顶面移除，并将沟槽内的多晶硅的一部分移除到至少比第一绝缘层的顶面低的高度。

3.如权利要求1的方法，其中移除第一绝缘层的一部分包括将第一绝缘层蚀刻至与第一绝缘层的30％至70％的范围对应的厚度，从而形成具有与第一绝缘层的30％至70％的范围对应的厚度的第二绝缘层。

4.如权利要求3所述的方法，其中该第二绝缘层的厚度对应于第一绝缘层的大约50％。

5.如权利要求1的方法，其中该第一绝缘层包括氧化物。

6.如权利要求1的方法，其中该第三绝缘层包括氮化物。

7.如权利要求1的方法，其中，移除第二绝缘层包括利用隔离物作为蚀刻掩膜，使得在该隔离物下的第二绝缘层不被移除。

8.如权利要求1的方法，进一步包括在移除第二绝缘层后移除该隔离物。

9.如权利要求8的方法，其中移除隔离物包括进行湿法蚀刻。

10.如权利要求9的方法，其中进行湿法蚀刻包括利用磷酸。