[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200710153471.6 | 申请日： | 2007-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101154690A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 菊池修一;大川重明;中谷清史;田中秀治 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/861;H01L23/62 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置，现有半导体装置存在肖特基势垒二极管的反倾斜电流过度增大的问题。本发明的半导体装置具有：形成于N型外延层(3)上的P型第一阳极扩散层(5)；按照包围所述第一阳极扩散层(5)的方式形成且杂质浓度比该第一阳极扩散层(5)低的第二阳极区域(9A)；形成于所述外延层(3)的N型阴极扩散层(7A、8A)；所述第一及第二阳极扩散层(5、9A)上形成的肖特基势垒用金属层(14)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：形成于一导电型半导体层上的反向导电型的第一阳极扩散层；按照包围所述第一阳极扩散层的方式形成且杂质浓度比该第一阳极扩散层低的第二阳极扩散层；形成于所述半导体层上的一导电型阴极扩散层；形成于所述第一及第二阳极扩散层上的肖特基势垒用金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社，未经三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710153471.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
