[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200710153471.6 | 申请日： | 2007-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101154690A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 菊池修一;大川重明;中谷清史;田中秀治 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/861;H01L23/62 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：
形成于一导电型半导体层上的反向导电型的第一阳极扩散层；
按照包围所述第一阳极扩散层的方式形成且杂质浓度比该第一阳极扩散层低的第二阳极扩散层；
形成于所述半导体层上的一导电型阴极扩散层；
形成于所述第一及第二阳极扩散层上的肖特基势垒用金属层。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述阴极扩散层由杂质浓度不同的两个一导电型扩散层构成，且连接着阴极电极。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述第一阳极扩散层自所述第二阳极扩散层扩散到深部。
4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，在施加阳极电位的配线层和所述阴极扩散层交叉的区域中、在所述半导体层上配置有与所述阴极扩散层同电位的电场遮断膜。
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