[发明专利]高耐压晶体管、其制造方法以及使用其的半导体器件无效
| 申请号： | 200710153117.3 | 申请日： | 2007-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101154684A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 林敬司 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种可防止电涌电压/电流破坏栅极氧化膜的高耐压晶体管，其具备：栅极电极，设置在半导体基板上形成的沟槽中；源极和漏极，在栅极电极的两侧，分别与栅极电极空出规定间隔来形成；电场缓和层，沿沟槽在源极侧的侧壁与沟槽在漏极侧的侧壁形成；以及电场缓和层，形成于栅极电极与源极之间、和栅极电极与漏极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 耐压 晶体管 制造 方法 以及 使用 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种高耐压晶体管，其中，具备：栅极电极，设置在第1传导类型的半导体基板上形成的第1沟槽中；源极和漏极，在所述栅极电极的两侧，分别与所述栅极电极空出规定间隔来形成；第1电场缓和层，沿所述沟槽在所述源极侧的侧壁与所述沟槽在所述漏极侧的侧壁形成；以及第2电场缓和层，包围所述源极和漏极，并形成于所述栅极电极与所述源极之间、和所述栅极电极与所述漏极之间，漏极/源极扩散层的耐压比晶体管的耐压低1-3V。
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