[发明专利]高耐压晶体管、其制造方法以及使用其的半导体器件无效
申请号: | 200710153117.3 | 申请日: | 2007-09-26 |
公开(公告)号: | CN101154684A | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 林敬司 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 浦柏明;刘宗杰 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 耐压 晶体管 制造 方法 以及 使用 半导体器件 | ||
1.一种高耐压晶体管,其中,具备:
栅极电极,设置在第1传导类型的半导体基板上形成的第1沟槽中;
源极和漏极,在所述栅极电极的两侧,分别与所述栅极电极空出规定间隔来形成;
第1电场缓和层,沿所述沟槽在所述源极侧的侧壁与所述沟槽在所述漏极侧的侧壁形成;以及
第2电场缓和层,包围所述源极和漏极,并形成于所述栅极电极与所述源极之间、和所述栅极电极与所述漏极之间,
漏极/源极扩散层的耐压比晶体管的耐压低1-3V。
2.根据权利要求1所述的高耐压晶体管,其中,
所述半导体基板表面的基板杂质浓度比所述第1电场缓和层的基板杂质浓度高。
3.根据权利要求1所述的高耐压晶体管,其中,
所述沟槽底面的基板杂质浓度比所述第1电场缓和层的基板杂质浓度低。
4.根据权利要求1所述的高耐压晶体管,其中,
所述沟槽底面下侧的基板杂质浓度比所述沟槽底面的基板杂质浓度高。
5.一种权利要求1所述的高耐压晶体管的制造方法,其中,
在半导体基板上形成所述第1沟槽,埋入CVD氧化膜,
形成以期望的宽度从所述第1沟槽的侧壁开口到外侧的第1光致抗蚀剂,
将所述第1光致抗蚀剂作为掩模,注入第2传导类型的第1离子,沿所述第1沟槽的侧壁,形成第1电场缓和层。
6.根据权利要求5所述的高耐压晶体管的制造方法,其中,
去除位于形成所述第1电场缓和层的范围内的第1沟槽内的CVD氧化膜,形成第2沟槽,
在所述第2沟槽的侧面与底面形成栅极氧化膜之后,在所述第2沟槽中形成栅极电极。
7.根据权利要求6所述的高耐压晶体管的制造方法,其中,
形成以期望的宽度覆盖所述栅极电极的绝缘膜,
将所述绝缘膜作为掩模,注入第2传导类型的第2离子,在所述绝缘膜的两侧形成源极和漏极,
注入第2传导类型的第3离子,在所述源极和漏极的下部与所述绝缘膜的下部,形成第2电场缓和层,与所述第1电场缓和层电连接。
8.根据权利要求5所述的高耐压晶体管的制造方法,其中,
所述第1离子注入到比所述第1沟槽的底面浅的位置。
9.根据权利要求7所述的高耐压晶体管的制造方法,其中,
所述第3离子注入到比所述第1离子的注入位置浅、比所述第2离子的注入位置深的位置。
10.根据权利要求7所述的高耐压晶体管的制造方法,其中,
利用所述半导体基板表面的基板杂质浓度与所述第3离子的注入,设定漏极/源极接合耐压。
11.根据权利要求5所述的高耐压晶体管的制造方法,其中,
利用所述半导体基板表面的基板杂质浓度和所述沟槽底面的基板杂质浓度与所述第1离子的注入,设定晶体管耐压。
12.一种半导体器件,其中,具备:
权利要求1所述的高耐压晶体管;以及
连接于所述高耐压晶体管上的输出端子。
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