[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法。在利用含有F的气体对作为被蚀刻膜的含有Si的低介电常数膜进行蚀刻后、直至将蚀刻掩模除去的期间，即使含有Si的低介电常数膜的被蚀刻部分暴露于NH₃系气体，也能够使损伤恢复，从而能够制造电气特性和可靠性优异的半导体装置。在形成于半导体基板上的含有Si的低介电常数膜上形成具有规定的电路图案的蚀刻掩模，利用含有F的气体通过蚀刻掩模对含有Si的低介电常数膜进行蚀刻，形成槽或孔，在蚀刻后，利用使用NH₃气体的灰化将蚀刻掩模除去，并将此时生成的生成物除去，然后，通过供给规定的恢复气体，使含有Si的低介电常数膜由于直到将蚀刻掩模除去的工序为止的工序而受到的损伤恢复。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在形成于半导体基板上的作为被蚀刻膜的含有Si的低介电常数膜上形成具有规定的电路图案的蚀刻掩模的工序；通过所述蚀刻掩模，利用含有F的气体对所述含有Si的低介电常数膜进行蚀刻，由此在所述含有Si的低介电常数膜上形成槽或孔的工序；在所述蚀刻后，利用灰化将所述蚀刻掩模除去的工序；和通过供给规定的恢复气体，使含有Si的低介电常数膜由于直到所述将蚀刻掩模除去的工序为止的工序而受到的损伤恢复的工序，在从所述蚀刻工序直至所述将蚀刻掩模除去的工序结束的期间，所述含有Si的低介电常数膜的被蚀刻部分被暴露于NH3气体，还包括：在所述恢复工序之前，通过暴露于所述NH3气体，将在所述含有Si的低介电常数膜的被蚀刻部分形成的生成物除去的工序。