[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

在形成于半导体基板上的作为被蚀刻膜的含有Si的低介电常数膜上形成具有规定的电路图案的蚀刻掩模的工序；

通过所述蚀刻掩模，利用含有F的气体对所述含有Si的低介电常数膜进行蚀刻，由此在所述含有Si的低介电常数膜上形成槽或孔的工序；

在所述蚀刻后，利用灰化将所述蚀刻掩模除去的工序；和

通过供给规定的恢复气体，使含有Si的低介电常数膜由于直到所述将蚀刻掩模除去的工序为止的工序而受到的损伤恢复的工序，

在从所述蚀刻工序直至所述将蚀刻掩模除去的工序结束的期间，所述含有Si的低介电常数膜的被蚀刻部分被暴露于NH₃气体，

还包括：在所述恢复工序之前，通过暴露于所述NH₃气体，将在所述含有Si的低介电常数膜的被蚀刻部分形成的生成物除去的工序。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述将蚀刻掩膜除去的工序通过利用包括NH₃气体的气体进行的灰化来进行，由此将所述含有Si的低介电常数膜的被蚀刻部分暴露于NH₃气体。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述将生成物除去的工序利用等离子体处理进行。

4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述等离子体处理通过在真空中将Ar气或H₂气或He气等离子体化而进行。

5.如权利要求3或4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述将生成物除去的工序和所述将蚀刻掩模除去的工序在同一处理室内进行。

6.如权利要求3或4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述将生成物除去的工序、所述将蚀刻掩模除去的工序、和所述恢复工序在同一处理室内进行。

7.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述将生成物除去的工序利用热处理进行。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述热处理在150～350℃的范围内进行。

9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述蚀刻工序、所述将蚀刻掩模除去的工序、所述将生成物除去的工序、和所述恢复工序利用组群化的处理系统进行，该组群化的处理系统包括：在真空气氛中进行各工序的多个处理室；和不破坏真空、在各处理室间搬送半导体基板的搬送机构。

10.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述将生成物除去的工序通过洗净液的洗净来进行。

11.如权利要求1～10中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述使损伤恢复的工序通过使用甲硅烷基化气体作为恢复气体的甲硅烷基化处理而进行。

12.如权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述甲硅烷基化处理使用在分子内具有硅氮烷键(Si-N)的化合物作为恢复气体而进行。

13.如权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述在分子内具有硅氮烷键的化合物为1，1，3，3-四甲基二硅氮烷、二甲基氨基三甲基硅烷、二甲基甲硅烷基二甲胺、1-三甲基甲硅烷基吡咯、N，O-双(三甲基甲硅烷基)三氟乙酰胺、双(二甲基氨基)二甲基硅烷。

14.一种计算机可读取的存储介质，存储有在计算机上运行的控制程序，其特征在于：

所述控制程序在执行时，使计算机控制制造系统，进行权利要求1～13中任一项所述的制造方法。