[发明专利]制造感应器的方法无效
| 申请号： | 200710145681.0 | 申请日： | 2007-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101145511A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 韩载元 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种使用系统级封装(SIP)技术制造感应器的方法，该方法包括：在硅衬底中形成第一穿透电极；在硅衬底的第一表面上沉积绝缘膜。以及构图该绝缘膜以形成感应孔和与第一穿透孔对齐的第二穿透孔；在该感应孔中形成感应器和在该第二穿孔中形成第二穿透电极；以及在该绝缘膜上沉积保护膜并执行晶背研磨工艺，使得第一穿透电极从硅衬底的第二表面暴露，第二表面与第一表面相对。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 感应器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使用系统级封装技术制造感应器的方法，该方法包含：构图硅衬底以形成第一穿孔，在所述第一穿孔的内壁中沉积第一屏障金属，在所述穿孔中掩埋第一金属材料，以及平坦化所述金属材料以形成第一穿透电极；在包括所述第一穿透电极的所述第一硅衬底的第一表面上沉积绝缘膜，以及构图所述绝缘膜以形成感应孔和与所述第一穿孔对齐的第二穿孔；在所述感应孔和所述第二穿孔的内壁中沉积第二屏障金属，在所述感应孔和所述第二穿孔中掩埋第二金属材料，以及平坦化所述第二金属材料以形成感应器和第二穿透电极；以及在所述绝缘膜上沉积保护膜以及执行晶背研磨工艺，使得所述第一穿透电极从所述硅衬底的第二表面暴露，所述第二表面与所述第一表面相对。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
