[发明专利]制造感应器的方法

权利要求书

1.一种使用系统级封装技术制造感应器的方法，该方法包含：

构图硅衬底以形成第一穿孔，在所述第一穿孔的内壁中沉积第一屏障金属，在所述穿孔中掩埋第一金属材料，以及平坦化所述金属材料以形成第一穿透电极；

在包括所述第一穿透电极的所述第一硅衬底的第一表面上沉积绝缘膜，以及构图所述绝缘膜以形成感应孔和与所述第一穿孔对齐的第二穿孔；

在所述感应孔和所述第二穿孔的内壁中沉积第二屏障金属，在所述感应孔和所述第二穿孔中掩埋第二金属材料，以及平坦化所述第二金属材料以形成感应器和第二穿透电极；以及

在所述绝缘膜上沉积保护膜以及执行晶背研磨工艺，使得所述第一穿透电极从所述硅衬底的第二表面暴露，所述第二表面与所述第一表面相对。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一穿孔的深度为约50至500μm，以及所述第一穿孔的临界尺寸为约1至10μm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，沉积第一和第二屏障金属的步骤包含沉积包括Ti、TiN、Ti/TiN、Ta、TaN、Ta/TaN、TaN/Ta、Co、Co化合物、Ni、Ni化合物、W、W化合物和氮化物的至少其中之一的金属，以及使用包括物理气相沉积(PVD)方法、溅射方法、蒸发方法、激光烧蚀方法、原子层沉积(ALD)方法和化学气相沉积(CVD)方法的至少其中之一，沉积具有约20至1000埃厚度的所述第一和第二屏障金属。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

沉积第一屏障金属包含：基于平板，使用包括PVD方法、溅射方法、蒸发方法、激光烧蚀方法、电镀铜(ECP)方法、ALD方法和CVD方法中的至少其中一种薄膜沉积方法，以约50至900μm厚度掩埋包括Al、Al化合物、Cu、Cu化合物、W或W化合物的至少其中之一的所述第一金属材料于所述第一穿孔中；以及

平坦化所述第一金属材料的步骤包含使用化学机械抛光(CMP)或反蚀刻方法以形成所述第一穿透电极。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘膜包含SiO₂、BPSG、TEOS、SiN、和低k材料的至少其中之一，并且使用电炉和包括CVD方法和PVD方法的任意一种金属薄膜沉积方法形成具有约1至10μm的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

沉积第二屏障金属的步骤包含：基于平板，使用包括PVD方法、溅射方法、蒸发方法、激光烧蚀方法、ECP方法、ALD方法和CVD方法中的至少其中一种薄膜沉积方法，以约2至20m的厚度掩埋包括Al、Al化合物、Cu、Cu化合物、W或W化合物于所述感应孔和所述第二穿孔中；以及

使用CMP方法或反蚀刻方法平坦化所述金属材料以形成感应器和所述第二穿透电极。