[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710145680.6 | 申请日： | 2007-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN101145577A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 金钟玟 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/822 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括将硅衬底分成有源区和无源区的隔离层、形成于硅衬底上的栅极、形成于栅极侧壁(side wall)周围以便将该栅极侧壁的上部暴露出来的栅氧化层、形成于硅衬底和栅极之间的栅绝缘层、形成于栅极和围绕该栅极的有源区的上方的外延层；形成于围绕该栅极的该硅衬底的表面内的轻掺杂漏区；形成于包括该栅氧化层的该栅极的侧壁周围的栅间隔物；形成于位于该栅间隔物的两侧的该硅衬底的表面内的源区和漏区，和形成于该硅衬底的整个表面上方的保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：隔离层，形成于硅衬底上方，将该硅衬底分成有源区和无源区；栅极，形成于该硅衬底上方；栅氧化层，形成于所述栅极的侧壁周围，将所述栅极的侧壁的上部暴露出来；栅绝缘层，形成于该硅衬底和所述栅极之间；外延层，形成于该栅极和围绕所述栅极的该有源区上方，其中所述外延层具有比所述栅极和所述栅绝缘层的宽度更大的宽度；轻搀杂漏(LDD)区，形成于围绕所述栅极的该硅衬底的表面内；栅间隔物，形成于所述栅极和所述栅氧化层的侧壁的周围；源区和漏区，形成于所述栅间隔物的侧面区域的该硅衬底的表面内；以及保护层，形成于该硅衬底和所述外延层的整个表面上方。
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