[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

隔离层，形成于硅衬底上方，将该硅衬底分成有源区和无源区；

栅极，形成于该硅衬底上方；

栅氧化层，形成于所述栅极的侧壁周围，将所述栅极的侧壁的上部暴露出来；

栅绝缘层，形成于该硅衬底和所述栅极之间；

外延层，形成于该栅极和围绕所述栅极的该有源区上方，其中所述外延层具有比所述栅极和所述栅绝缘层的宽度更大的宽度；

轻搀杂漏(LDD)区，形成于围绕所述栅极的该硅衬底的表面内；

栅间隔物，形成于所述栅极和所述栅氧化层的侧壁的周围；

源区和漏区，形成于所述栅间隔物的侧面区域的该硅衬底的表面内；以及

保护层，形成于该硅衬底和所述外延层的整个表面上方。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，形成于所述栅极上的所述外延层具有蘑菇样的形状。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述栅氧化层被蚀刻到比直接提供于该源区和漏区上方的那部分外延层的高度低的高度。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，在所述栅绝缘层，所述栅氧化层和直接提供于该源区和漏区上方的那部分外延层之间形成鸟喙。

5.一种方法，包括：

在具有隔离层的硅衬底上方形成栅绝缘层，该隔离层将该硅衬底分成有源区和无源区；

在所述栅绝缘层上方形成栅极；

在该硅衬底上方形成栅氧化层，以将所述栅极的上表面和一部分侧壁暴露出来；

在所述栅极和围绕所述栅极的所述有源区的上方形成其宽度比所述栅绝缘层的宽度更宽的外延层；

在围绕所述栅极的该硅衬底的表面内形成LDD区；

形成围绕所述栅极和所述栅氧化层的侧壁的栅间隔物；

通过将离子注入所述栅间隔物的相邻侧的该硅衬底的表面内形成源区和漏区；并且

在该硅衬底的整个表面上形成保护层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，还包括：

在形成所述外延层后使用各向同性蚀刻法将所述栅氧化层图案化；以及

在形成所述保护层之前实施聚氧化处理。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，将所述栅氧化层图案化到比围绕所述栅极所形成的那部分外延层的高度低的高度。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述栅氧化层和所述栅绝缘层是利用各向异性过蚀刻工艺同时图案化的。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述外延层是利用匀质外延方法形成的。

10.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述栅氧化层具有大约20到150之间的厚度。

11.一种方法，包括：

在硅衬底上方形成隔离层，以将该硅衬底分成有源区和无源区；

在该硅衬底上方形成栅极；

在该硅衬底上方形成厚度在大约20到150之间的栅氧化层，以将所述栅极的侧壁的上部暴露出来；

在该硅衬底和所述栅极之间形成栅绝缘层；

在所述栅极和所述有源区上方形成其宽度比所述栅极和所述栅绝缘层的宽度大的外延层；

在围绕所述栅极的该硅衬底的表面内形成轻掺杂漏区；

形成围绕所述栅极的侧壁和所述栅氧化层的侧壁的栅间隔物；

在该硅衬底的该表面内形成具有下结的源区和漏区；

蚀刻所述栅氧化层到一个比直接提供于所述源区和漏区上方的那部分外延层的高度低的高度；以及

在所述栅绝缘层、所述栅氧化层、和直接提供于所述源区和漏区上方的那部分外延层之间形成鸟喙；以及

在该硅衬底的整个表面上方形成保护层。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述隔离层是利用浅沟槽隔离(STI)工艺形成于该硅衬底上方的。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述栅绝缘层包括绝缘材料。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述绝缘材料包括SiO2和SiON中的至少一种。

15.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述栅氧化层是通过氧化所述栅极的表面形成的。