[发明专利]沟槽型MOS晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200710145637.X | 申请日： | 2007-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN101145576A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 沈揆光;金钟玟 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型MOS晶体管和用于制造沟槽型MOS晶体管的方法。在一个方案中，可以减小在沟槽型MOS晶体管的栅极和漏区之间的总电容。特别地，在栅极中形成PN结以减小栅极和漏区之间的总电容。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 mos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽型金属-氧化物-半导体晶体管包含：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的漏区，所述漏区包括第一传导型掺杂剂；在所述漏区上形成的漂移区，所述漂移区包括所述第一传导型掺杂剂；在所述漂移区上形成的沟道体，所述沟道体包括第二传导型掺杂剂；在所述沟道体上形成的源区，所述源区包括所述第一传导型掺杂剂；通过蚀刻所述源区、所述沟道体和部分所述漂移区形成的沟槽；在所述沟槽内壁上形成的栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上形成的多晶硅栅极，所述多晶硅栅极具有包括第一传导型掺杂剂的下部分和包括第二传导型掺杂剂的上部分，所述上部分和下部分在该上下部分之间形成结。
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