[发明专利]沟槽型MOS晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种沟槽型金属-氧化物-半导体晶体管包含：

半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成的漏区，所述漏区包括第一传导型掺杂剂；

在所述漏区上形成的漂移区，所述漂移区包括所述第一传导型掺杂剂；

在所述漂移区上形成的沟道体，所述沟道体包括第二传导型掺杂剂；

在所述沟道体上形成的源区，所述源区包括所述第一传导型掺杂剂；

通过蚀刻所述源区、所述沟道体和部分所述漂移区形成的沟槽；

在所述沟槽内壁上形成的栅绝缘膜；

在所述栅绝缘膜上形成的多晶硅栅极，所述多晶硅栅极具有包括第一传导型掺杂剂的下部分和包括第二传导型掺杂剂的上部分，所述上部分和下部分在该上下部分之间形成结。

2.根据权利要求1所述的沟槽型金属-氧化物-半导体晶体管，其特征在于，所述漏区包括注入到该漏区中的高浓度N型掺杂剂。

3.根据权利要求1所述的沟槽型金属-氧化物-半导体晶体管，其特征在于，所述漂移区包括注入到该漂移区中的低浓度N型掺杂剂。

4.根据权利要求1所述的沟槽型金属-氧化物-半导体晶体管，其特征在于，所述沟道体包含注入到该沟道体中的P型掺杂剂。

5.根据权利要求1所述的沟槽型金属-氧化物-半导体晶体管，其特征在于，所述源区包含注入到该源区中的N型掺杂剂。

6.根据权利要求1所述的沟槽型金属-氧化物-半导体晶体管，其特征在于，在所述多晶硅栅极的上部分和下部分之间的所述结包含PN结。

7.根据权利要求1所述的沟槽型金属-氧化物-半导体晶体管，其特征在于，所述多晶硅栅极的上部分包括N型掺杂剂，而所述多晶硅栅极的下部分包括P型掺杂剂。

8.根据权利要求1所述的沟槽型金属-氧化物-半导体晶体管，其特征在于，在所述上部分和所述下部分之间的所述结与在所述漂移区和所述沟道体之间的结对齐。

9.根据权利要求1所述的沟槽型金属-氧化物-半导体晶体管，其特征在于，在所述上部分和所述下部分之间的所述结低于在所述漂移区和所述沟道体之间的结。

10.一种制造沟槽型金属-氧化物-半导体晶体管的方法，包含：

在半导体衬底上形成注入有高浓度的第一传导型掺杂剂的漏区，在所述漏区上形成注入有低浓度的所述第一传导型掺杂剂的漂移区，以及在所述漂移区上形成注入有第二传导型掺杂剂的沟道体；

蚀刻所述沟道体和部分所述漂移区以形成沟槽；

在所述沟槽的内壁上形成栅绝缘膜；

在所述栅绝缘膜上形成多晶硅栅极，所述多晶硅栅极具有注入有所述第一传导型掺杂剂的下部分和注入有所述第二传导型掺杂剂的上部分，所述下部分和上部分在该上下部分之间形成结；以及

在位于所述多晶硅栅极的两侧处的所述沟道体中形成源区。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一传导型掺杂剂包含N型掺杂剂，而所述第二传导型掺杂剂包含P型掺杂剂。

12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述多晶硅栅极中形成的所述结包括PN结。

13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述形成多晶硅栅极的步骤进一步包含：

在所述沟槽的所述下部分中形成注入有P型掺杂剂的下多晶硅层；以及

在所述沟槽的所述上部分中形成注入有N型掺杂剂的上多晶硅层。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，在所述沟槽的下部分和上部分之间的所述结在与所述漂移区和所述沟道体之间的结对齐的位置处形成，或者在低于所述漂移区和所述沟道体之间的结的位置处形成。

15.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述形成多晶硅栅极的步骤进一步包含：

在所述沟槽中形成掺杂有P型掺杂剂的多晶硅层；

蚀刻所述多晶硅层至预定深度以形成下多晶硅层；以及

在所述下多晶硅层上形成掺杂有N型掺杂剂的上多晶硅层。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，所述下多晶硅层的上表面与所述漂移区和所述沟道体之间的结对齐，或者低于所述漂移区和所述沟道体之间的结。