[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法和具有其的显示设备有效
申请号: | 200710142674.5 | 申请日: | 2007-08-20 |
公开(公告)号: | CN101127358A | 公开(公告)日: | 2008-02-20 |
发明(设计)人: | 柳慧英;金彰洙;姜秀馨 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张波;陶凤波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及薄膜晶体管基板及其制造方法和具有其的显示设备。在薄膜晶体管(TFT)基板中,栅极绝缘层布置于电连接到栅极线的栅电极上。半导体层设置于栅极绝缘层上。源电极电连接到与栅极线相交的数据线。漏电极面对源电极并界定半导体层的沟道区域。有机层设置于数据线上并具有暴露沟道区域的第一开口。无机绝缘层设置于有机层上。像素电极设置于无机绝缘层上且电连接到漏电极。无机绝缘层覆盖第一开口,且无机绝缘层的厚度基本均匀。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 具有 显示 设备 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管TFT基板,包括:基板;形成于所述基板上且电连接到栅极线的栅电极;形成于所述基板上从而覆盖所述栅极线和所述栅电极的栅极绝缘层;对应于所述栅电极形成于所述栅极绝缘层上的半导体层;形成于所述半导体层上且电连接到数据线的源电极,所述数据线沿与所述栅极线的纵向交叉的方向形成于所述栅极绝缘层上;漏电极,形成于所述半导体层上且与所述源电极相对从而在所述源电极和漏电极之间界定所述半导体层的沟道区域;形成于所述栅极绝缘层上从而覆盖所述源电极、所述漏电极和所述数据线的有机层,所述有机层具有暴露所述沟道区域的第一开口;形成于所述有机层和所述第一开口的内表面上的无机绝缘层,所述无机绝缘层具有基本均匀的厚度;以及设置于所述无机绝缘层上且电连接到所述漏电极的像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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