[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法和具有其的显示设备

说明书

技术领域

本发明涉及一种显示设备，尤其涉及一种TFT基板、制造TFT基板的方法以及具有该TFT基板的显示设备。

背景技术

近来，诸如有机发光显示器(OLED)、等离子体显示屏(PDP)和液晶显示器(LCD)的平板显示设备得到了发展，替代又重又大的阴极射线管(CRT)显示器。PDP设备利用放电产生的等离子体显示图像。OLED设备利用特殊有机材料和聚合物的有机电致发光显示图像和字符。LCD设备通过控制穿过液晶层的光的透射率来显示图像。

通常，LCD设备包括薄膜晶体管(TFT)基板、公共电极基板和设置于TFT基板和公共电极基板之间的液晶层。当在制造LCD设备的过程中TFT基板和公共电极基板未对准时，LCD设备的显示质量会受到不利影响。

为了防止显示质量受到未对准的影响，可以采用阵列上滤色器(COA)结构，在该结构中滤色器设置于TFT基板上。不过，来自滤色器的杂质可能会经过像素电极之间的间隙或开口流出，污染液晶并导致显示残留图像。

此外，在把有机绝缘层用作像素电极下方的平坦化层时，来自有机平坦化层的杂质会流出来。结果，液晶仍然被污染，并增大残留图像。

发明内容

根据本发明的一个方面，能够消除诸如残留图像的缺陷的薄膜晶体管(TFT)基板包括栅电极、栅极绝缘层、半导体层、源电极、漏电极、有机层、无机绝缘层和像素电极。栅电极形成于基板上并电连接到栅极线。栅极绝缘层形成于所述基板上以覆盖所述栅极线和所述栅电极。半导体层形成于对应于所述栅电极的所述栅极绝缘层上。源电极电连接到数据线，所述数据线沿与栅极线的纵向交叉的方向形成于栅极绝缘层上。源电极在所述半导体层上。漏电极形成于所述半导体层上，并与所述源电极相对，以在所述源电极和漏电极之间界定所述半导体层的沟道区域。有机层形成于栅极绝缘层上以覆盖源电极、漏电极和数据线。有机层具有暴露沟道区域的第一开口。无机绝缘层形成于有机层和第一开口的内表面上，并具有基本均匀的厚度。像素电极设置于无机绝缘层上且电连接到漏电极。

根据本发明，如下提供了一种制造TFT基板的方法。在基板上形成栅极线和电连接到栅极线的栅电极。栅极绝缘层形成于所述基板上以覆盖所述栅极线和所述栅电极。半导体层形成于对应于所述栅电极的所述栅极绝缘层上。在所述栅极绝缘层上沿与所述栅极线的延伸方向交叉的方向形成数据线、在所述半导体层上形成电连接到所述数据线的源电极以及与所述源电极相对的漏电极从而在所述源电极和漏电极之间界定所述半导体层的沟道区域。在所述栅极绝缘层上形成有机层以覆盖所述数据线、所述源电极和所述漏电极，所述有机层具有暴露所述沟道区域的第一开口。无机绝缘层形成于有机层和第一开口的内表面上，并具有基本均匀的厚度。像素电极形成于无机绝缘层上且电连接到漏电极。

根据本发明的又一个方面，显示设备包括第一基板、栅电极、栅极绝缘层、半导体层、源电极、漏电极、有机层、无机绝缘层、像素电极和第二基板。栅电极设置于第一基板上并电连接到栅极线。栅极绝缘层设置于所述第一基板上以覆盖所述栅极线和所述栅电极。半导体层设置于对应于所述栅电极的所述栅极绝缘层上。源电极电连接到数据线并在半导体层上，所述数据线沿与栅极线的纵向交叉的方向形成于栅极绝缘层上。漏电极形成于所述半导体层上，并与所述源电极相对，以在所述源电极和漏电极之间界定所述半导体层的沟道区域。有机层设置于栅极绝缘层上以覆盖源电极、数据线和漏电极。有机层具有暴露沟道区域的第一开口。无机绝缘层设置于有机层和第一开口的内表面上，并具有基本均匀的厚度。像素电极设置于无机绝缘层上且电连接到漏电极。第二基板面对所述第一基板且包括公共电极。

根据本发明的一方面，在有机层上设置无机绝缘层。于是，可以阻挡来自有机层的杂质，从而可以防止液晶被污染并可以减少诸如残留图像的显示缺陷。

根据本发明的TFT基板的制造方法，在大约100℃到大约250℃的低温下形成无机绝缘层。于是，可以防止对下部有机层造成损伤且可以增强显示属性。

另外，根据本发明的制造TFT基板的方法，通过形成具有精确厚度的无机绝缘层可以缩短制造时间。

附图说明

在结合附图考虑的时候，参考以下详细说明，本发明的以上和其他优点将变得容易明了，其中：

图1为平面图，示出了根据本发明第一示例实施例的薄膜晶体管(TFT)基板的一部分；

图2为取自图1中的线I-I′的截面图。

图3到6为示出了图1中所示的TFT基板的制造方法的截面图；

图7为示出了根据本发明的第二示例实施例的TFT基板的截面图；