[发明专利]薄膜晶体管基板及其制造方法和具有其的显示设备

权利要求书

1.一种薄膜晶体管TFT基板，包括：

基板；

形成于所述基板上且电连接到栅极线的栅电极；

形成于所述基板上从而覆盖所述栅极线和所述栅电极的栅极绝缘层；

对应于所述栅电极形成于所述栅极绝缘层上的半导体层；

形成于所述半导体层上且电连接到数据线的源电极，所述数据线沿与所述栅极线的纵向交叉的方向形成于所述栅极绝缘层上；

漏电极，形成于所述半导体层上且与所述源电极相对从而在所述源电极和漏电极之间界定所述半导体层的沟道区域；

形成于所述栅极绝缘层上从而覆盖所述源电极、所述漏电极和所述数据线的有机层，所述有机层具有暴露所述沟道区域的第一开口；

形成于所述有机层和所述第一开口的内表面上的无机绝缘层，所述无机绝缘层具有基本均匀的厚度；以及

设置于所述无机绝缘层上且电连接到所述漏电极的像素电极。

2.根据权利要求1所述的TFT基板，其中所述有机层包括滤色器。

3.根据权利要求2所述的TFT基板，其中所述无机绝缘层包括氮化硅或氧化硅。

4.根据权利要求2所述的TFT基板，其中所述无机绝缘层在100℃到250℃的低温下通过淀积工艺形成。

5.根据权利要求2所述的TFT基板，其中所述无机绝缘层完全覆盖所述有机层。

6.根据权利要求2所述的TFT基板，其中所述无机绝缘层的厚度在100到2000的范围内。

7.根据权利要求2所述的TFT基板，其中所述有机层与所述数据线、所述漏电极和所述栅极绝缘层中的至少一个接触。

8.根据权利要求2所述的TFT基板，其中所述有机层的厚度在2.5μm到3.5μm的范围内。

9.根据权利要求2所述的TFT基板，其中所述半导体层与所述数据线和所述漏电极重叠。

10.根据权利要求9所述的TFT基板，还包括由与所述栅极线基本相同的层形成的存储电极，并且

其中所述有机层具有第二开口，所述第二开口暴露设置于所述存储电极上的所述栅极绝缘层的一部分。

11.根据权利要求10所述的TFT基板，其中所述无机绝缘层形成于所述第二开口的内侧表面和通过所述第二开口暴露的所述栅极绝缘层上。

12.根据权利要求10所述的TFT基板，其中所述有机层具有用于暴露所述漏电极的一部分的第三开口，所述无机绝缘层具有用于暴露所述漏电极的所述部分的开口，且所述像素电极通过所述无机绝缘层的所述开口和所述有机层的所述第三开口电连接到所述漏电极。

13.根据权利要求12所述的TFT基板，还包括至少一个间隔体，位于并填充所述第一、第二和第三开口中的至少一个。

14.根据权利要求所述的TFT基板，其中所述间隔体包括光阻挡材料。

15.根据权利要求12所述的TFT基板，还包括挡光填料，设置于并填充所述第一、第二和第三开口中的至少一个。

16.根据权利要求1所述的TFT基板，其中所述像素电极形成于所述第一开口之外。

17.根据权利要求16所述的TFT基板，其中所述像素电极具有切口图案，所述切口图案将一个像素部分分成多个域。