[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体元件及其制造方法，包括一电容器及一相邻的高电压栅极，其具有一硼阻障层，此硼阻障层可作为电容器介电层及高电压栅极氧化层。硼阻障层较佳形成于一多晶硅氧化层之上，多晶硅氧化层依序沉积于基板上，而基板可掺杂杂质以形成相邻的阱区，电容器形成于n型阱之上，且HV栅极形成于p型阱上。此硼阻障层可降低或消除在沉积栅极氧化材料时由p型阱扩散出来的硼及其所造成的不良影响。

主权项

1.一种半导体元件，包括：一电容器；包括：一第一导电层；一第二导电层，设置于该第一导电层上方；以及一硼阻障层，设置于该第一及第二导电层之间作为一介电层，以及一高电压栅极，邻近该电容器；包括：一硼阻障层；以及一导电层，设置于该硼阻障层上。