[发明专利]半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一电容器；包括：

一第一导电层；

一第二导电层，设置于该第一导电层上方；以及

一硼阻障层，设置于该第一及第二导电层之间作为一介电层，以及一高电压栅极，邻近该电容器；包括：

一硼阻障层；以及

一导电层，设置于该硼阻障层上。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征是该硼阻障层包括氮化硅。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其特征是该硼阻障层包括氮氧化钽、氮氧化锆、氮氧化锌、碳化硅及氮氧化硅的至少一种材料，其中x为任何正整数，y及z为任何非负整数。

4.如权利要求1所述的半导体元件，其特征是该高电压栅极还包括一第一氧化层及一第二氧化层，且两者以该硼阻障层隔离。

5.一种半导体元件，包括：

一基板，包括一p型阱；以及

一高电压栅极结构，形成于该p型阱之上，其中该高电压栅极结构包括一形成于一硼阻障层上的栅极。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其特征是该硼阻障层包括氮化硅。

7.如权利要求5所述的半导体元件，其特征是该硼阻障层包括氮氧化钽、氮氧化锆、氮氧化锌、碳化硅及氮氧化硅至少一种材料，其中x为任何正整数，y及z为任何非负整数。

8.如权利要求5所述的半导体元件，还包括一氧化层，该氧化层以一氮化硅层与该p型阱隔离。

9.如权利要求5所述的半导体元件，还包括一电容器，该电容器包括一下极板、上极板及一介电层介于上极板与下极板之间。

10.一种半导体元件，包括：

一电容器，包括

一第一导电层；

一第二导电层，设置于该第一导电层上；以及

一氮化硅层，设置于该第一及第二导电层之间，其作为一介电层；以及

一高电压栅极，邻近该电容器，包括：

一第一氧化层；

一氮化硅层

一第二氧化层；以及

一导电层，设置于该第一氧化层、该氮化硅层及该第二氧化层之上。