[发明专利]真空处理装置、静电卡盘的诊断方法及存储介质无效
| 申请号： | 200710140389.X | 申请日： | 2007-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN101123174A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 古屋敦城;里吉务 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/67;H01L21/683;C23C16/458;B23Q3/15 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种真空处理装置，其在对基板执行真空处理时，在开始使用静电卡盘前，能够诊断电介质层的绝缘状态。在吸附保持玻璃基板(G)等的喷涂型的静电卡盘(22)中，高压电源(67)向静电卡盘(22)的卡盘电极(24)施加比吸附保持玻璃基板(G)的情况低的直流电压即诊断电压，各测量器(70、71)取得各测量位置的电气特性(电压和电流)的测量数据。于是，作为诊断部的控制部(80)，将上述电气特性的测量数据分别与预先针对电气特性规定的设定数据(阈值)相比，诊断该静电卡盘(22)是否出于可以使用的状态。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 处理 装置 静电 卡盘 诊断 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种真空处理装置，其特征在于：在设置于真空容器内的载置台的静电卡盘上载置基板，向卡盘电极施加卡盘电压而使基板静电吸附在静电卡盘上，并对基板进行处理，包括：用于向所述卡盘电极施加比在真空处理时的卡盘电压低的诊断电压的电源；用于在向所述卡盘电极施加诊断电压时测量静电卡盘的电气特性并取得其测量数据的测量部；根据由该测量部取得的所述测量数据和预先设定的设定数据，对能否使用所述静电卡盘进行诊断的诊断部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710140389.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
