[发明专利]真空处理装置、静电卡盘的诊断方法及存储介质

说明书

技术领域

本发明涉及在对基板例如平板显示器(FPD)等的玻璃基板实施真空处理例如等离子体处理的装置中，在装置的运转操作开始时，诊断能否使用设置在装置中的静电卡盘的技术。

背景技术

在制造作为FPD的一种的液晶显示器的工序中，包含当在玻璃基板上形成多个薄膜晶体管(Thin Film Transistor：TFT)时，对玻璃基板实施CVD或蚀刻等的等离子体处理的工序。

在等离子体处理工序中，一般使用一种等离子体处理装置，其在真空的处理容器(真空容器)内上下相对地配置一对平行平板状的电极，通过在这些电极之间施加高频电力使导入装置的处理气体等离子化，对载置在下部侧电极上的玻璃基板实施等离子处理。

作为在等离子体处理装置内固定玻璃基板的方法，由于无法使用真空卡盘，所以采用利用库仑力将玻璃基板固定的静电卡盘。在静电卡盘上具有，在片状的卡盘电极的正反面上喷涂例如由氧化铝构成的绝缘层的喷涂类型，以及在由陶瓷平板构成的绝缘层内埋设片状的卡盘电极的陶瓷平板类型。

在这些类型中，由于陶瓷平板类型的静电卡盘在制作大型卡盘的上存在困难，并且大型的卡盘成本高，所以难以将其用于处理对象越来越大的玻璃基板用的等离子体处理装置，一般对于这种等离子体处理装置采用喷涂类型的静电卡盘。

然而，喷涂类型的静电卡盘，由于制法的原因，电介质层具有多孔的构造，所以在装置维护时等，如果处理容器向大气开放，则大气中的水分会被静电卡盘吸收。在吸收水分后，如果向卡盘电极施加用于吸附玻璃基板的直流电压(以下，称为卡盘电压)，那么，由于绝缘性差，发生电介质层的绝缘被破坏而存在损坏静电卡盘的问题。

因此，在使用曾向大气开放(解除了真空状态)的等离子体处理装置时，多数情况下，在使处理容器为真空状态后待机规定时间，以使电介质层吸收的水分释放，等到成为不会发生因水分吸收而引起的绝缘破坏的状态，再开始使用静电卡盘。但是，由于这种运行依赖于操作者对运转手册的遵守，所以作为绝缘破坏的防止措施存在很大的不确定性。并且，由于上述的等待时间在被设定时包含了某种程度的安全率，所以在很多情况下，往往在不得不等待超过必要的时间之后才能使用静电卡盘，这也是工作效率低下的重要原因之一。

在专利文献1中提供了一种技术，其在使用静电卡盘时，测量电介质层的电阻值和流经电介质层的电流值，预测因暴露于等离子体的高温而引起的电介质层的绝缘破坏，发出警告。然而，因吸收水分而导致电介质层容易产生绝缘破坏的静电卡盘，可能在向卡盘电极施加卡盘电压时产生静电破坏，所以无法解决上述课题。

专利文献1：日本专利特开2000-305237号公报，权利要求1。

发明内容

本发明基于这种问题而提出，目的在于提供一种在运行对基板的真空处理中，在开始使用静电卡盘前，能够诊断电介质层的绝缘状态的真空处理装置、静电卡盘的诊断方法以及存储用于执行该方法的程序的存储介质。

本发明的真空处理装置，其特征在于：在设置于真空容器内的载置台的静电卡盘上载置基板，向卡盘电极施加卡盘电压而使基板静电吸附在静电卡盘上，并对基板进行处理，包括：

用于向上述卡盘电极施加比在真空处理时的卡盘电压低的诊断电压的电源；

用于在向上述卡盘电极施加诊断电压时测量静电卡盘的电气特性并取得其测量数据的测量部；

根据由该测量部取得的上述测量数据和预先设定的设定数据，对能否使用上述静电卡盘进行诊断的诊断部。

在此，优选上述测量数据选自，在静电卡盘的电介质层中流通的电流，该电流的变化量，从施加上述诊断电压的电源经过静电卡盘至接地的电路内的任意处的电压，以及该电压的变化量。

另外，优选真空处理装置还具有用于对各部分进行控制来进行自我诊断的控制部，以使向卡盘电极施加上述诊断电压并由测量部取得测量数据，然后在上述诊断部中进行诊断。而且，上述控制部可以构成为，能够从开始真空容器内的真空排气的时刻经过预先设定的时间后，或在真空容器内的压力成为预先设定的压力后，执行上述自我诊断。；另外上述控制部也可以构成为，在收到操作者的自我诊断输入时，立刻执行所述自我诊断。

此外，上述控制部优选构成为，在由诊断部诊断为不能使用上述静电卡盘时，按照预先设定的时间间隔，重复执行上述自我诊断，在由诊断部诊断为不能使用上述静电卡盘时，按照预先设定的时间间隔，重复执行上述自我诊断，并在上述自我诊断的重复次数到达上限时，告知处于异常状态。