[发明专利]静态随机存取存储器电路和用于切换其性能的方法有效
| 申请号： | 200710139959.3 | 申请日： | 2007-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101123114A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托弗·冈萨雷斯;诺尔曼·J.·罗雷尔;维诺德·拉马杜莱 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈炜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种静态随机存取存储器(SRAM)电路，包括第一SRAM单元和第二SRAM单元，它们被配置为在共享模式和/或独立模式中操作。在一个例子中，共享模式包括共享第一SRAM单元的存储器节点。在另一例子中，独立模式包括使第一SRAM单元与第二SRAM单元隔离以便使得它们独立地操作。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 电路 用于 切换 性能 方法 | ||
【主权项】：
1.一种静态随机存取存储器电路、即SRAM电路，所述电路包括：第一SRAM单元，具有第一存储器节点和第二存储器节点；第二SRAM单元，具有第三存储器节点和第四存储器节点；在所述第一存储器节点和第三存储器节点之间连接的第一单元控制模块；和在所述第二存储器节点和第四存储器节点之间连接的第二单元控制模块，所述第一和第二单元控制模块被配置为在其中所述第一SRAM和第二SRAM的存储器节点被隔离的第一操作模式和其中所述第一和第三存储器节点被共享并且所述第二和第四存储器节点被共享的第二操作模式之间进行切换。
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