[发明专利]静态随机存取存储器电路和用于切换其性能的方法

权利要求书

1.一种静态随机存取存储器电路、即SRAM电路，所述电路包括：

第一SRAM单元，具有第一存储器节点和第二存储器节点；

第二SRAM单元，具有第三存储器节点和第四存储器节点；

在所述第一存储器节点和第三存储器节点之间连接的第一单元控制模块；和

在所述第二存储器节点和第四存储器节点之间连接的第二单元控制模块，所述第一和第二单元控制模块被配置为在其中所述第一SRAM和第二SRAM的存储器节点被隔离的第一操作模式和其中所述第一和第三存储器节点被共享并且所述第二和第四存储器节点被共享的第二操作模式之间进行切换；

其中，所述第一SRAM单元被配置为在所述第一操作模式中独立于所述第二SRAM单元地进行读取和/或写入；并且所述第一和第二SRAM单元被配置为在所述第二操作模式中同时进行读取和/或写入。

2.如权利要求1所述的SRAM电路，其中，所述第一和第二单元控制模块中的至少一个包括从由NFET通路栅、PFET通路栅、NFET和PFET传输栅及其任何组合所组成的组中所选择的至少一个元件。

3.如权利要求1所述的SRAM电路，其中，所述SRAM电路是具有多个SRAM电路的电子存储器设备的一部分。

4.如权利要求3所述的SRAM电路，其中，所述设备被配置为在包括第一电压和第二电压的多个电压下操作，所述第二电压高于所述第一电压，所述第一和第二单元控制模块被配置为当所述设备在所述第一电压下操作时是逻辑上活动的，并且被配置为当所述设备在所述第二电压下操作时在逻辑上是不活动的。

5.如权利要求1所述的SRAM电路，其中，所述第一和第二SRAM单元中的至少一个包括交叉耦合的六晶体管SRAM单元。

6.一种静态随机存取存储器电路、即SRAM电路，所述电路包括：

具有第一组多个存储器节点的第一SRAM单元，所述第一SRAM单元被耦合到第一位线、第二位线和第一字线；

具有第二组多个存储器节点的第二SRAM单元，所述第二SRAM单元被耦合到所述第一和第二位线以及第二字线；和

在所述第一组和第二组多个存储器节点之间连接的一对单元隔离设备，用于在其中所述第一和第二SRAM单元被组合起来以形成共享的SRAM单元的第一操作模式和其中所述第一和第二SRAM单元被彼此隔离的第二操作模式之间进行切换；

其中，所述第一和第二字线被配置为在所述第一操作模式中一起操作而在所述第二操作模式中独立地操作。

7.如权利要求6所述的SRAM电路，其中，所述一对单元隔离设备中的至少一个包括从由NFET通路栅、PFET通路栅、NFET和PFET传输栅及其任何组合所组成的组中所选择的至少一个元件。

8.如权利要求6所述的SRAM电路，其中，所述一对单元隔离设备由单元控制切换机制来控制。

9.如权利要求8所述的SRAM电路，其中，所述单元控制切换机制被配置为当包括所述SRAM电路的设备的操作电压改变时在所述第一操作模式到所述第二操作模式之间切换所述一对单元隔离设备。

10.如权利要求6所述的SRAM电路，其中，所述第一和第二SRAM单元中的至少一个包括交叉耦合的六晶体管SRAM单元。

11.如权利要求6所述的SRAM电路，其中，所述SRAM电路是具有多个SRAM电路的电子存储器设备的一部分。

12.一种用于切换静态随机存取存储器电路、即SRAM电路的性能模式的方法，所述方法包括：

在所述SRAM电路的第一操作模式期间使第一SRAM单元的第一存储器节点与第二SRAM单元的第二存储器节点共享；

在所述第一操作模式期间使所述第一SRAM单元的第三存储器节点与所述第二SRAM单元的第四存储器节点共享；

在所述SRAM电路的第二操作模式期间使所述第一存储器节点与所述第二存储器节点隔离；并且

在所述第二操作模式期间使所述第三存储器节点与所述第四存储器节点隔离；

其中，在从所述第一操作模式切换到所述第二操作模式和/或从所述第二操作模式切换到所述第一操作模式之前，高速缓存在所述存储器节点中所存储的数据。