[发明专利]蚀刻装置和蚀刻方法无效
| 申请号： | 200710138606.1 | 申请日： | 2007-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101114122A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 崔浩根;金龙佑 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G02F1/1333;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;马高平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种蚀刻装置和蚀刻方法，其中施加在基板上的压力被最小化，且基板的整个表面在蚀刻工艺期间被均匀地施压。基板的破损被防止，且基板被均匀地蚀刻。因此，基板的厚度可被减小。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻装置，包括：具有一空间的蚀刻轨，至少一个目标物通过该空间移动，其中该空间含有蚀刻溶液以蚀刻在该空间中的该目标物，且该蚀刻轨相对于地面的斜率是可调的；以及溶液供应器，其提供蚀刻溶液到该蚀刻轨。
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