[发明专利]非易失性存储器设备和处理从存储单元读取的数据的方法有效

专利信息
申请号: 200710138330.7 申请日: 2007-07-27
公开(公告)号: CN101114522A 公开(公告)日: 2008-01-30
发明(设计)人: J·朴;D·S·宋 申请(专利权)人: 意法半导体亚太私人有限公司;海力士半导体有限公司
主分类号: G11C16/08 分类号: G11C16/08
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 程天正;陈景峻
地址: 新加坡*** 国省代码: 新加坡;SG
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 包括用于把全局数据线驱动器的输入线与电源电压线连接/断开的预充电晶体管的存储器设备比不包括它的存储器设备的功耗要高,原因在于即使处于待用状态也存在经过该预充电晶体管的微小但重要的电流。利用在新颖的存储器设备中执行的一种方法,通过仅仅当同时满足页面缓冲器的使能信号被置为有效、选择了低电压运行模式并且所述存储器设备不处于待用状态,或者所述存储器设备处于待用状态但从存储器单元所读取的数据为高电平时,才开启所述预充电晶体管,就解决了这一问题。
搜索关键词: 非易失性存储器 设备 处理 存储 单元 读取 数据 方法
【主权项】:
1.一种在页面模式中运行的非易失性存储器设备,包括:页面缓冲器,包括多个数据输出驱动器,它们均由平行分布的使能信号(PBDO)所使能,用于输出从存储器的被访问页面所读取的数据,选择多路复用器,由地址信号(YA,YB,YC)控制,用于选择出现在所述数据驱动器之一的输出的数据,全局数据线驱动器,与所述多路复用器的输出耦合,用于当第二使能信号(DOEN)被置为有效时转移所选择的数据,所述全局数据线驱动器包括:由预充电控制信号(PRE_N)开启的预充电晶体管(P0),其把所述全局数据线驱动器的输入线连接至所述存储器设备的电源线,生成所述预充电控制信号(PRE_N)的预充电控制电路,所述预充电控制信号(PRE_N)用于当所述第一使能信号(PBDO)被置为有效并且同时命令信号(SUPPLY18)被置为有效时,开启所述预充电晶体管(P0)以选择所述存储器设备的低电压运行模式,其特征在于,所述预充电控制电路被输入所述第一使能信号(PBDO)、所述命令信号(SUPPLY18)、所述读取数据的复制品和用于把存储器设备设置在待用状态的待用信号(ACTCHIP),并且生成所述预充电控制信号(PRE_N),所述预充电控制信号(PRE_N)仅当下列条件全部被验证通过时才开启所述预充电晶体管(P0):-所述第一使能信号(PBDO)被置为有效;-所述命令信号(SUPPLY18)被置为有效;-所述存储器设备不处于待用状态,或所述存储器设备处于待用状态但是所述全局数据线驱动器的输入线上的数据处于高逻辑电平。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体亚太私人有限公司;海力士半导体有限公司,未经意法半导体亚太私人有限公司;海力士半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710138330.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top