[发明专利]存储器存取方法有效
| 申请号： | 200710137364.4 | 申请日： | 2007-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101350219A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 洪俊雄;何文乔;张坤龙 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/22 | 分类号： | G11C7/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 谢强;黄小临 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存储器存取方法。存储器包括多个多层单元，每一个多层单元可储存2n位，n为正整数。此存储器存取方法包括，首先分别定义每个多层单元的临界电压为2n层，每一层均对应于一n位的储存状态，0～2n/2－1层所对应的储存状态的最高效位是不同于2n/2～2n－1层所对应的储存状态的最高效位。接着，分割一目标数据为n个部分并分别写入n个暂存存储器。然后，将目标数据的n位写入多层单元，其中每一位是从每一暂存存储器撷取而得到的。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 存取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器存取方法，该存储器包括多个多层单元，每一个多层单元可储存2n位，n为正整数，该存储器存取方法包括：分别定义该每个多层单元的临界电压为2n层，每一层均对应于一n位的储存状态，0～2n/2-1层所对应的储存状态的最高效位是不同于2n/2～2n-1层所对应的储存状态的最高效位；分割一目标数据为n个部分并依据所述临界电压的定义将该n个部分分别写入n个暂存存储器；以及将该目标数据的n位写入该多层单元，其中每一位是从每一暂存存储器撷取而得到的。
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