[发明专利]存储器存取方法有效
| 申请号： | 200710137364.4 | 申请日： | 2007-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101350219A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 洪俊雄;何文乔;张坤龙 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/22 | 分类号： | G11C7/22 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 谢强;黄小临 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 存取 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种存储器存取方法，该存储器层包括多个存储单元，每个存储单 元的临界电压的分布由低至高依次为层0～层2N-1，该存储器存取方法包括：
接收目标数据；
将欲提升临界电压至层1～层2N-1的所述存储单元的临界电压从层0 提升到层1；
将于前一步骤中提升到层1之欲提升临界电压至层2～层2N-1的所述存 储单元的临界电压从层1提升到层2；直至
将于前一步骤中提升到层2N-2之欲提升临界电压至层2N-1的所述存 储单元的临界电压从层2N-2提升到层2N-1。
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