[发明专利]存储器存取方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种存储器存取方法，且特别是涉及一种利用全新存取存 储器的方法以节省存储器存取时间及功率消耗的存储器存取方法。

背景技术

存储器应用于现今的多种数据储存的用途。存储器包括多种型式，例 如为多位单元(Multi-Bit Cell，MBC)存储器或多层单元(Multi-Level Cell， MLC)存储器等。请参照图1A，其示出了传统多位单元的示意图。如图1A 所示，多位单元100的左半单元(left half cell)为位A，多位单元100的右半 单元(right half cell)为位B。请参照图1B，其示出了传统多层单元的临界电 压的分布图。其中，(层0，层1，层2，层3)通常被定义为(11，10，01， 00)。

存储器还包括将多层单元技术结合在多位单元技术中的存储器。请参 照图1C，其示出了传统存储单元的示意图。存储单元110的左半单元包括 位A及位B，存储单元110的右半单元包括位C及位D。当要读取上述的 存储单元110所储存的数据时，必须以不同的字线电压使能存储单元110 三次，才能借助于不同的参考电压正确判断存储单元110所储存的数据。 如此一来，不仅浪费存储器存取时间，同时也增加功率消耗。

发明内容

本发明涉及一种存储器存取方法，利用新定义的存储单元的临界电压 分布以及全新的操作方法将数据写入存储单元，然后以较简单的步骤来判 断存储单元所储存的数据，节省存储器存取时间及功率消耗。

根据本发明，提出一种存储器存取方法层。存储器包括多个多层单元， 每一个多层单元可储存2n位，n为正整数。此存储器存取方法包括，首先， 分别定义每个多层单元的临界电压为2ⁿ层，每一层均对应于一n位的储存 状态，0～2^n/2-1层所对应的储存状态的最高效位是不同于2^n/2～2ⁿ-1层所对 应的储存状态的最高效位。接着，分割一目标数据为n个部分并分别写入n 个暂存存储器。然后，将目标数据的n位写入多层单元，其中每一位是从 每一暂存存储器撷取而得到的。

根据本发明，另提出一种存储器存取方法层。存储器包括多个存储单 元，每个存储单元的临界电压的分布由低至高依次为层0～层3。此存储器 存取方法包括，首先，接收目标数据。接着，将相对应于层1～层3的存储 单元的临界电压从相对应于层0的临界电压提升到相对应于层1的临界电 压。接着，将相对应于层2～层3的存储单元的临界电压从相对应于层1的 临界电压提升到相对应于层2的临界电压。之后，将相对应于层3的存储 单元的临界电压从相对应于层2的临界电压提升到相对应于层3的临界电 压。

根据本发明，另提出一种存储器存取方法层。存储器包括多个多层单 元，每一个多层单元可储存2n位，n为正整数。此存储器存取方法包括， 首先，分别定义每个多层单元的临界电压为2ⁿ层，每一层均对应于一n位 的储存状态，0～2^n/2-1层所对应的储存状态的最低效位是不同于2^n/2～2ⁿ-1 层所对应的储存状态的最低效位。接着，分割一目标数据为n个部分并分 别写入n个暂存存储器。然后，将目标数据的n位写入多层单元，其中每 一位是从每一暂存存储器撷取而得到的。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举一较佳实施例，并配 合附图，作详细说明如下。

附图说明

图1A示出传统多位单元的示意图。

图1B示出传统多层单元的临界电压的分布图。

图1C示出传统存储单元的示意图。

图2示出依照本发明较佳实施例的存储器存取方法的流程图。

图3示出依据本发明较佳实施例的存储单元的临界电压的分布。

图4示出依照本发明较佳实施例的数据输入阶段的示意图。

图5示出依照本发明较佳实施例的数据对的配对示意图。

图6示出依照本发明较佳实施例的步阶渐增临界电压的示意图。

图7示出依照本发明较佳实施例的扫描读取电路的电路图。

主要附图标记说明如下：

100：多位单元

110：存储单元

400：存储器