[发明专利]用于执行暗场双偶极子光刻(DDL)的方法及设备有效
| 申请号： | 200710128855.2 | 申请日： | 2007-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN101135861A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | D·－F·S·苏;S·朴;D·范登布洛克;J·F·陈 | 申请（专利权）人： | ASML蒙片工具有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于执行暗场双偶极子光刻的方法。该方法包括以下步骤：识别具有包括水平和垂直特征的多个特征的目标图案；基于目标图案生成水平掩模，其中水平掩模包括低对比度垂直特征。水平掩模的生成包括以下步骤：优化在水平掩模中所包含的低对比度垂直特征的偏离；以及将散射条施加到水平掩模上。该方法还包括：基于目标图案生成垂直掩模，其中垂直掩模包含低对比度水平特征，垂直掩模的生成包括以下步骤：优化在垂直掩模中所包含的低对比度水平特征的偏离；以及将散射条施加到垂直掩模上。以及提供一种用于执行该方法的设备。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 执行 暗场 偶极子 光刻 ddl 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种生成用于暗场双偶极子成像过程的互补掩模的方法，所述方法包括以下步骤：识别具有多个特征的目标图案，所述多个特征包括水平和垂直特征；基于所述目标图案生成水平掩模，所述水平掩模包括低对比度特征，所述水平掩模的所述生成包括以下步骤：优化在所述水平掩模中所包含的所述低对比度特征的偏离；以及将散射条施加到所述水平掩模上；以及基于所述目标图案生成垂直掩模，所述垂直掩模包含低对比度特征，所述垂直掩模的所述生成包括以下步骤：优化在所述垂直掩模中所包含的低对比度特征的偏离；将散射条施加到所述垂直掩模上。
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