[发明专利]用于执行暗场双偶极子光刻(DDL)的方法及设备

权利要求书

1.一种生成用于暗场双偶极子成像过程的互补掩模的方法，所述方法包括以下步骤：

识别具有多个特征的目标图案，所述多个特征包括水平和垂直特征；

基于所述目标图案生成水平掩模，所述水平掩模包括低对比度特征，所述水平掩模的所述生成包括以下步骤：

优化在所述水平掩模中所包含的所述低对比度特征的偏离；以及

将散射条施加到所述水平掩模上；以及

基于所述目标图案生成垂直掩模，所述垂直掩模包含低对比度特征，所述垂直掩模的所述生成包括以下步骤：

优化在所述垂直掩模中所包含的低对比度特征的偏离；

将散射条施加到所述垂直掩模上。

2.根据权利要求1所述的生成用于暗场双偶极子成像过程的互补掩模的方法，其中优化所述低对比度特征的偏离的所述步骤包括以下步骤：调节在所述水平掩模中所包含的垂直特征的宽度，以便使与成像性能相关的预定义标准最大化。

3.根据权利要求1所述的生成用于暗场双偶极子成像过程的互补掩模的方法，其中生成水平掩模的步骤还包括以下步骤：在将所述散射条施加到所述水平掩模上的步骤之后，再次执行优化所述低对比度特征的偏离的步骤。

4.根据权利要求1所述的生成用于暗场双偶极子成像过程的互补掩模的方法，其中生成水平掩模的步骤还包括以下步骤：在所述水平掩模上执行模型OPC。

5.根据权利要求1所述的生成用于暗场双偶极子成像过程的互补掩模的方法，其中优化所述低对比度特征的偏离的所述步骤包括以下步骤：调节在所述垂直掩模中所包含的水平特征的宽度，以便使与成像性能相关的预定义标准最大化。

6.根据权利要求1所述的生成用于暗场双偶极子成像过程的互补掩模的方法，其中生成所述垂直掩模的步骤还包括以下步骤：在将所述散射条施加到所述垂直掩模上的步骤之后，再次执行优化所述低对比度特征的偏离的步骤。

7.根据权利要求1所述的生成用于暗场双偶极子成像过程的互补掩模的方法，其中生成垂直掩模的步骤还包括以下步骤：在所述垂直掩模上执行模型OPC。

8.一种被配置成存储由处理器执行的程序指令的计算机可读介质，所述程序指令使处理器能够生成对应于用于暗场双偶极子成像过程的互补掩模的文件，所述文件的所述生成包括以下步骤：

识别具有多个特征的目标图案，所述多个特征包括水平和垂直特征；

基于所述目标图案生成水平掩模，所述水平掩模包括低对比度特征，所述水平掩模的所述生成包括以下步骤：

优化在所述水平掩模中所包含的低对比度特征的偏离；以及

将散射条施加到所述水平掩模上；以及

基于所述目标图案生成垂直掩模，所述垂直掩模包含低对比度特征，所述垂直掩模的所述生成包括以下步骤：

优化在所述垂直掩模中所包含的低对比度特征的偏离；

将散射条施加到所述垂直掩模上。

9.根据权利要求8所述的计算机可读介质，其中优化所述低对比度特征的偏离的所述步骤包括以下步骤：调节在所述水平掩模中所包含的垂直特征的宽度，以便使与成像性能相关的预定义标准最大化。

10.根据权利要求8所述的计算机可读介质，其中生成水平掩模的步骤还包括以下步骤：在将所述散射条施加到所述水平掩模上的步骤之后，再次执行优化所述低对比度特征的偏离的步骤。

11.根据权利要求8所述的计算机可读介质，其中生成水平掩模的步骤还包括以下步骤：在所述水平掩模上执行模型OPC。

12.根据权利要求8所述的计算机可读介质，其中优化所述低对比度特征的偏离的所述步骤包括以下步骤：调节在所述垂直掩模中所包含的水平特征的宽度，以便使与成像性能相关的预定义标准最大化。

13.根据权利要求8所述的计算机可读介质，其中生成所述垂直掩模的步骤还包括以下步骤：在将所述散射条施加到所述垂直掩模上的步骤之后，再次执行优化所述低对比度特征的偏离的步骤。

14.根据权利要求8所述的计算机可读介质，其中生成垂直掩模的步骤还包括以下步骤：在所述垂直掩模上执行模型OPC。

15.一种器件制造方法，包括以下步骤：

(a)提供衬底，所述衬底至少部分地由一层辐射敏感材料覆盖；

(b)利用辐射系统来提供投影辐射光束；

(c)利用构图装置对投影光束在其横截面中赋予图案；

(d)将构图的辐射光束投影到该层辐射敏感材料的目标部分上，

其中采用根据权利要求1所述的方法来生成步骤(c)的构图装置。