[发明专利]半导体封装及制造方法和衬底和半导体器件及制造方法无效

专利信息
申请号: 200710128824.7 申请日: 2007-01-15
公开(公告)号: CN101083244A 公开(公告)日: 2007-12-05
发明(设计)人: 山口昌浩;中村博文 申请(专利权)人: 尔必达存储器股份有限公司;NEC凸版电子基板株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L25/00;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王波波
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体封装包括:衬底,含有连接到多个外部电极的布线图案;一或多个半导体芯片,连接到布线图案并安装在衬底上;导电柱,连接到预定外部电极并在纵向方向上起着中继电极作用;和树脂密封层,用来整体密封半导体芯片和导电柱处于一种其中导电柱上部终端面被暴露的状态。
搜索关键词: 半导体 封装 制造 方法 衬底 半导体器件
【主权项】:
1、一种半导体封装,包括:衬底,包含有连接到多个外部电极的布线图案;一或多个连接到所述布线图案并安装在所述衬底上的半导体芯片;导电柱,连接到预定的所述外部电极并在纵向方向上起着中继电极作用;和树脂密封层,用来整体密封所述半导体芯片和所述导电柱,所述导电柱的上部终端面被暴露。
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