[发明专利]半导体封装及制造方法和衬底和半导体器件及制造方法无效

专利信息
申请号: 200710128824.7 申请日: 2007-01-15
公开(公告)号: CN101083244A 公开(公告)日: 2007-12-05
发明(设计)人: 山口昌浩;中村博文 申请(专利权)人: 尔必达存储器股份有限公司;NEC凸版电子基板株式会社
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L25/00;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王波波
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 制造 方法 衬底 半导体器件
【权利要求书】:

1、一种半导体封装的制造方法,包括如下步骤:

形成衬底结构,具有布线图案和在导电板一侧面上的多个焊料球连接盘,使得预定的所述焊料球连接盘被连接到所述导电板部分地起着中继电极作用的位置;

使用在预定位置起着中继电极作用的一部分,同时移除其它部分,从而在所述导电板的另一侧面形成导电柱;

在所述导电板被移除的一侧,在所述衬底结构的表面安装一或多个半导体芯片;

用树脂整体地密封所述一或多个半导体芯片和所述导电柱;和

处理所述树脂表面从而暴露所述导电柱的一终端面。

2、根据权利要求1所述的半导体封装的制造方法,其中所述导电柱由铜制成。

3、根据权利要求1所述的半导体封装的制造方法,还包括步骤,在所述多个焊料球连接盘上形成焊料球,所述焊料球连接于所述导电柱上部终端面,起连接电极的作用。

4、根据权利要求3所述的半导体封装的制造方法,进一步包含步骤:通过移除所述导电柱的上终端面,暴露高度低于所述树脂表面的高度的所述导电柱的上终端面。

5、根据权利要求3或4所述的半导体封装的制造方法,进一步包含步骤:形成周缘区域,所述周缘区域包括所述树脂表面上,高度低于中央区域的高度的所述导电柱的周围区域。

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