[发明专利]半导体结构

摘要

本发明提供一种降低互相扩散的半导体结构，包括第一阱区和第二阱区在半导体基底内，绝缘区在第一和第二阱区之间且邻接第一和第二阱区，栅极介电层在第一和第二阱区上；以及在栅极介电层上的栅极电极条，且从第一阱区上方延伸至第二阱区上方。栅极电极条包含在第一阱区上方的第一部分、在第二阱区上方的第二部分以及在绝缘区上方的第三部分，第三部分的厚度大体上小于第一和第二部分的厚度。

主权项

1. 一种半导体结构，其特征是包括：一半导体基底；一第一阱区，设置于该半导体基底内；一第二阱区，设置于该半导体基底内；一绝缘区，设置于该第一和第二阱区之间，且邻接该第一和第二阱区；一栅极介电层，设置于该第一和第二阱区上；以及一栅极电极条，设置于该栅极介电层上，且从该第一阱区上方延伸至该第二阱区上方，其中该栅极电极条包括一设置于该第一阱区上方的第一部分、一设置于该第二阱区上方的第二部分以及一设置于该绝缘区上方的第三部分，其中该第三部分的厚度大体上小于该第一和第二部分的厚度。