[发明专利]半导体结构

权利要求书

1. 一种半导体结构，其特征是包括：

一半导体基底；

一第一阱区，设置于该半导体基底内；

一第二阱区，设置于该半导体基底内；

一绝缘区，设置于该第一和第二阱区之间，且邻接该第一和第二阱区；

一栅极介电层，设置于该第一和第二阱区上；以及

一栅极电极条，设置于该栅极介电层上，且从该第一阱区上方延伸至该第二阱区上方，

其中该栅极电极条包括一设置于该第一阱区上方的第一部分、一设置于该第二阱区上方的第二部分以及一设置于该绝缘区上方的第三部分，其中该第三部分的厚度大体上小于该第一和第二部分的厚度。

2. 如权利要求1所述的半导体结构，其特征是该第三部分的厚度比该第一和第二部分的厚度小以上。

3. 如权利要求1所述的半导体结构，其特征是该第三部分包括在一含硅层上的一硅化物层。

4. 如权利要求3所述的半导体结构，其特征是该含硅层的厚度小于。

5. 如权利要求1所述的半导体结构，其特征是该第三部分只包括一硅化物层，且其中该第一和第二部分各自包括在一多晶硅层上的一硅化物层。

6. 如权利要求1所述的半导体结构，其特征是还包括：

一第一栅极间隙壁，设置于该栅极电极条的该第一部分的一侧壁上；

一第一源极/漏极区，邻接该栅极电极条的该第一部分；

一第二栅极间隙壁，设置于该栅极电极条的该第二部分的一侧壁上；以及

一第一源极/漏极区，邻接该栅极电极条的该第二部分。

7. 如权利要求1所述的半导体结构，其特征是该第一阱区为一p型阱区，且其中该第二阱区为一n型阱区。

8. 如权利要求7所述的半导体结构，其特征是每一个该栅极电极条的该第一和第二部分包括在一多晶硅层上的一硅化物层，其中在该栅极电极条的第一部分内的该多晶硅层具有净的n型掺杂物，且在该栅极电极条的第二部分内的该多晶硅层具有净的p型掺杂物。

9. 一种半导体结构，其特征是包括：

一半导体基底；

一n型金属氧化物半导体元件，包括：

一p型阱区，设置于该半导体基底内；

一第一栅极介电质，设置于该p型阱区上；

一第一栅极电极，设置于该第一栅极介电质上；以及

一第一栅极间隙壁，设置于该第一栅极电极的一侧壁上；

一p型金属氧化物半导体元件，包括：

一n型阱区，设置于该半导体基底内；

一第二栅极介电质，设置于该n型阱区上；

一第二栅极电极，设置于该第二栅极介电质上；以及

一第二栅极间隙壁，设置于该第二栅极电极的一侧壁上；

一绝缘区，邻接该p型阱区和该n型阱区；以及

一凹陷的导电区，分隔该第一栅极电极和该第二栅极电极，其中该凹陷的导电区只覆盖在该绝缘区上方，且其中该凹陷的导电区的厚度大体上小于该第一和第二栅极电极的厚度。

10. 如权利要求9所述的半导体结构，其特征是

该第一栅极电极包括设置于一第一多晶硅区上的一第一硅化物区；

该第二栅极电极包括设置于一第二多晶硅区上的一第二硅化物区；且

该凹陷的导电区包括设置于一第三多晶硅区上的一第三硅化物区，其中该第三多晶硅区的厚度大体上小于该第一和第二多晶硅区的厚度。

11. 如权利要求10所述的半导体结构，其特征是该第一、第二和第三多晶硅区为一连续的多晶硅条的一部分，且其中该第一、第二和第三硅化物区为一连续的多晶硅条的一部分。

12. 如权利要求10所述的半导体结构，其特征是该第三多晶硅区的厚度小于该第一和第二多晶硅区厚度的80％。

13. 如权利要求10所述的半导体结构，其特征是该第三多晶硅区的厚度小于

14. 如权利要求10所述的半导体结构，其特征是该第三多晶硅区的厚度比该第一和第二多晶硅区的厚度小以上。

15. 如权利要求10所述的半导体结构，其特征是该第一和第二栅极电极以及该凹陷的导电区大体上形成一直线。