[发明专利]具有变化沟道区界面的非易失性存储器无效
| 申请号： | 200710127896.X | 申请日： | 2007-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN101106138A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 廖意瑛 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/792;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/8247;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器及其制造方法。该非易失性存储器具有一变化沟道区界面，例如举升的源极与漏极或凹入沟道区。该非易失性存储器包含：电荷捕捉结构，用来储存电荷以控制由该非易失性存储器单元集成电路储存的逻辑状态；源极区与漏极区，以沟道区分离；以及一个或多个介电结构，至少部分位于该电荷捕捉结构与该沟道区之间，并至少部分位于该电荷捕捉结构与栅极电压源之间，其中一界面分离该一个或多个介电结构的一部分以及该沟道区，该界面的第一端结束于该源极区的中间部分，且该界面的第二端结束于该漏极区的中间部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 变化 沟道 界面 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器单元集成电路，包含：电荷捕捉结构，用来储存电荷以控制由该非易失性存储器单元集成电路储存的逻辑状态；源极区与漏极区，以沟道区分离；以及一个或多个介电结构，至少部分位于该电荷捕捉结构与该沟道区之间，并至少部分位于该电荷捕捉结构与栅极电压源之间，其中界面分离该一个或多个介电结构的一部分以及该沟道区，该界面的第一端结束于该源极区的中间部分，且该界面的第二端结束于该漏极区的中间部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
