[发明专利]贯通孔形成方法和配线电路基板的制造方法无效
| 申请号： | 200710126992.2 | 申请日： | 2007-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN101102648A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 西田干司;松尾直之;浦入正胜 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H05K3/42 | 分类号： | H05K3/42;H05K3/46;H05K3/00;B23K26/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种贯通孔形成方法和一种配线电路基板的制造方法。例如利用激光，通过穿孔加工法，在叠层体中形成第一贯通孔。所谓穿孔加工法是指按照如下的轨道进行激光照射的加工方法：从要形成的第一贯通孔的大致中心区域开始激光的照射，沿着与要形成的第一贯通孔的孔径对应的圆周进行激光的照射，最后再次返回要形成的第一贯通孔的上述大致中心区域。接着，通过与形成第一贯通孔时同样地照射激光，形成与第一贯通孔大致同心、并且孔径比该第一贯通孔的孔径大的第二贯通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 贯通 形成 方法 配线电 路基 制造 | ||
【主权项】：
1.一种贯通孔形成方法，在通过粘接剂层叠层导体层与绝缘层而成的导体叠层板中形成贯通孔，其特征在于，包括：在所述导体叠层板中形成第一贯通孔的工序；和利用激光将所述第一贯通孔的内周壁除去，由此形成与所述第一贯通孔大致同心、并且直径比所述第一贯通孔大的第二贯通孔的工序。
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