[发明专利]高压晶体管和存储器的形成方法有效
| 申请号： | 200710126599.3 | 申请日： | 2007-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101197263A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 王友臻;洪中山;宋建鹏;金贤在 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种栅极形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底形成有第一氧化硅层、第一多晶硅层和层间介质层；在所述半导体衬底上形成第二多晶硅层；去除第二多晶硅层；形成栅极。相应地，本发明还提供一种高压晶体管的形成方法和一种存储器的形成方法，本发明通过先去除形成在半导体衬底上第一多晶硅层和层间介质层上的第二多晶硅层，然后定义刻蚀第一多晶硅层和层间介质层形成栅极，避免了去除第二多晶硅层不干净的造成残留问题，防止了由于第二多晶硅残留问题使得高压晶体管产生泄漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 晶体管 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种栅极形成方法，包括：(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底形成有第一氧化硅层、第一多晶硅层和层间介质层；(b)在所述半导体衬底上形成第二多晶硅层；(c)去除第二多晶硅层；(d)形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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