[发明专利]高压晶体管和存储器的形成方法

权利要求书

1.一种栅极形成方法，包括：

(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底形成有第一氧化硅层、第一多晶硅层和层间介质层；

(b)在所述半导体衬底上形成第二多晶硅层；

(c)去除第二多晶硅层；

(d)形成栅极。

2.根据权利要求1所述的栅极形成方法，其特征在于：步骤(d)包括：

在整个半导体衬底上涂覆光刻胶；

采用掩模版定义出栅极，进行曝光；

显影；

蚀刻层间绝缘层和第一多晶硅层，形成栅极。

3.根据权利要求1所述的栅极形成方法，其特征在于：所述层间绝缘层为由氧化硅、氮化硅、氧化硅三层构成的ONO层。

4.一种高压晶体管的形成方法，包括：

(e)提供半导体衬底，所述半导体衬底形成有第一氧化硅层、第一多晶硅层和层间介质层；

(f)在所述半导体衬底上形成第二多晶硅层；

(g)去除第二多晶硅层；

(h)形成栅极；

(i)在半导体衬底中注入离子形成高压晶体管的源极、漏极。

5.根据权利要求4所述的高压晶体管的形成方法，其特征在于：步骤(h)包括：

蚀刻层间绝缘层和第一多晶硅层，形成高压晶体管栅极；

在整个半导体衬底上涂覆光刻胶；

采用掩模版定义出高压晶体管栅极，进行曝光；

显影。

6.根据权利要求4所述的高压晶体管的形成方法，其特征在于：所述层间绝缘层为由氧化硅、氮化硅、氧化硅三层构成的ONO层。

7.根据权利要求4所述的栅极形成方法，其特征在于：还包括在高压晶体管栅极两侧形成侧墙。

8.一种存储器的形成方法，包括：

(j)提供半导体衬底，所述半导体衬底包含存储单元区域和高压电路区域，所述存储单元区域形成有分别由第一氧化硅层、第一多晶硅层和层间介质层构成的浮栅结构和选择栅结构，所述高压电路区域包含第一氧化硅层、第一多晶硅层和层间介质层，所述高压晶体管位于高压电路区域；

(k)在所述半导体衬底上形成第二多晶硅层；

(l)去除高压电路区域的第二多晶硅层；

(m)形成高压晶体管的栅极；

(n)在半导体衬底中注入离子形成高压晶体管的源极、漏极。

9.根据权利要求8所述存储器的形成方法，其特征在于：所述半导体衬底还包含逻辑电路区域，所述逻辑电路区域的第一多晶硅层和层间介质层被去除。

10.根据权利要求8所述存储器的形成方法，其特征在于：步骤(l)包括：

在整个半导体衬底上涂覆光刻胶；

采用掩模版定义出高压电路区域，进行曝光；

显影；

去除高压电路区域第二多晶硅层。

11.根据权利要求8所述存储器的形成方法，其特征在于：还包括去除存储单元区域选择栅结构上的第二多晶硅层步骤，形成选择晶体管，浮栅结构上第二多晶硅层作为控制栅，形成浮栅晶体管。

12.根据权利要求8所述存储器的形成方法，其特征在于：步骤(m)包括：

在整个半导体衬底上涂覆光刻胶；

采用掩模版定义出高压晶体管栅极，进行曝光；

显影；

蚀刻层间绝缘层和第一多晶硅层，形成高压晶体管栅极。

13.根据权利要求8所述存储器的形成方法，其特征在于：还包括形成逻辑电路区域的第二氧化硅层以及栅极步骤。

14.根据权利要求8所述存储器的形成方法，其特征在于：还包括在逻辑电路区域注入离子形成逻辑晶体管的源极和漏极。

15.根据权利要求8所述存储器的形成方法，其特征在于：所述层间介质层为由氧化硅、氮化硅、氧化硅三层构成的ONO层。

16.根据权利要求8所述的栅极形成方法，其特征在于：还包括在浮栅晶体管、选择晶体管、高压晶体管和逻辑晶体管栅极两侧形成侧墙。